制造包括转移到设置有电荷俘获层的支撑体上的薄层的结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造结构(1)的方法，该结构(1)包括转移到设置有电荷俘获层(3)的支撑体(2)上的薄层(5)，该方法包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造包括转移到设置有电荷俘获层的支撑体上的薄层的结构的方法
专利

[0001]本专利技术涉及用于制造包括转移到具有电荷俘获层的支撑体上的薄层的结构的方法。

技术介绍

[0002]集成器件通常以晶片的形式建立在衬底上，衬底主要用作集成器件制造的支撑体。然而，这些器件预期的集成程度和性能水平的提高已经导致其性能水平和上面形成器件的衬底的特性之间日益显著的关联。对于处理特别适用于电信领域(电话、Wi
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Fi、蓝牙等)的频率在约3kHz至300GHz之间的信号的射频(RF)器件尤其如此。
[0003]使用器件/衬底耦合的例子，源自在器件中传播的高频信号的电磁场穿透到衬底的深度中，并与其中存在的可能的电荷载流子相互作用。这导致通过插入损失的信号的一些能量的不必要消耗和通过串扰在部件之间的可能影响。
[0004]诸如滤波器、开关和天线适配器之类的射频器件以及功率放大器可以建立在考虑了这些现象并提高了性能水平的经特别调整的衬底上。
[0005]因此已知高电阻率绝缘体上硅(HR SOI)衬底，其包括具有大于1千欧姆...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造结构(1)的制造方法，所述结构(1)包括薄层(5)，所述薄层(5)被转移到设置有电荷俘获层(3)的支撑体(2)上，所述制造方法包括以下步骤：
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制备所述支撑体(2)，包括在基础衬底(6)上形成所述俘获层(3)，所述俘获层(3)具有小于10
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at/cm3的氢浓度；
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通过介电层(4)将所述支撑体(2)接合到施主衬底，所述介电层(4)具有小于10
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at/cm3的氢浓度或包含防止氢向所述俘获层(3)扩散的屏障或具有低的氢扩散率；
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去除所述施主衬底的一部分以形成所述薄层(5)；所述制造方法将所述结构(1)暴露于低于为1000℃的最高温度的温度。2.根据前一权利要求所述的制造方法，其中，所述俘获层(3)在600℃至950℃之间的淀积温度下淀积，并且制备所述支撑体(2)的步骤包括：在贫氢气氛中并且在所述淀积温度至1000℃之间的温度下对所述俘获层(3)进行退火的第一退火阶段。3.根据前一权利要求所述的制造方法，其中，所述俘获层的淀积实施LPCVD技术。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述俘获层(3)通过在950℃至1100℃之间的温度下淀积而形成。5.根据前一权利要求所述的制造方法，其中，所述俘获层(3)的淀积在外延框架中实现。6.根据前述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，所述介电层(4)通过淀积具有大于10
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at/cm3的氢浓度的材料，随后在贫氢气氛中施加第二退火阶段来生产。7.根据前一权利要求所述的制造方法，其中，所述第二退火阶段在中性气氛中在800℃至900℃之间持续至少一小时。8.根据权利要求2和3中任一项所述的制造方法，其中，通过在施加所述第一退火阶段之前将氢浓度大于10
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at/cm3的材料淀积到所述俘获层(3)上来产生所述介电层(4)。9.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其中，所述介电层(4)通过在800℃至1000℃之间的温度下对所述俘获层(3)的热氧化来生产。10.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其中，所述介电层(4)包括所述屏障，并且所述屏障...

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：