用于形成焊料凸块的系统和方法技术方案

一种用于形成焊料凸块(122)的方法包括：制备转移模具(100)，该转移模具具有焊料柱(112)，该焊料柱(112)从模具衬底(102)延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层(104)并且具有部分地由第二光致抗蚀剂层(108)限定的形状，该第二光致抗蚀剂层(108)在转移焊料之前被去除；提供具有可润湿焊盘(120)的器件衬底(114)：将转移模具(100)和器件衬底(114)置于对准接触中，使得焊料柱(112)与可润湿焊盘(120)接触；在所述焊料柱(112)与所述可润湿焊盘(120)之间形成金属接合，例如，采用冷焊或回流工艺去除所述模具衬底(102)和所述第一光致抗蚀剂层(104)。模具衬底(102)和转移模具(100)可以是柔性的。转移模具可以包括以下至少一个：在模具衬底(402)之上的润湿层，在这种情况下，包括铝的柱(112)可以被沉积和回流：在模具衬底(402)之上的籽晶层以及在第二光致抗蚀剂层(408)之上的非润湿层。器件衬底(114、502)可以包括通孔(118、504)并且可以是由硅、玻璃和/或有机衬底材料制成的内插器。该方法可以进一步包括将该内插器(I14，502)附接到量子位半导体器件(超导芯片)(300，516)上，其中该量子位半导体器件(300，516)包括约瑟夫逊结(304，518)，并且其中将该内插器(114，502)附接到该量子位半导体器件(300，516)上包括将穿过该内插器(11，502)的孔(118，504)与该约瑟夫逊结(304，518)对准以便提供用于访问该约瑟夫逊结(304，518)的路径，特别是对其设计频率做出调整。该焊料柱(122)可以是围绕该量子位半导体器件(300)与该内插器(114)之间的该孔(118)形成的多个焊料柱中的一个，用于提供该约瑟夫逊结(304)的热隔离量，从而在该量子位周围并且在该内插器(114)与该超导芯片(300)之间形成一(续)(续)[转续页]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成焊料凸块的系统和方法


[0001]本专利技术总体上涉及用于形成焊料凸块的半导体器件、制造方法和制造系统。

技术介绍

[0002]在下文中，除非在使用时明确区分，否则短语词中的“Q”或“q”前缀表示在量子计算背景下该词或短语的参考。
[0003]分子和亚原子粒子遵循量子力学定律，量子力学定律是探索物理世界在最基本的层面上如何工作的物理学分支。在这个水平，颗粒以奇怪的方式表现，同时呈现多于一个状态，并且与非常远的其他颗粒相互作用。量子计算利用这些量子现象来处理信息。
[0004]我们今天使用的计算机被称为经典计算机(在此也称为“常规”计算机或常规节点，或“CN”)。传统计算机使用利用半导体材料和技术制造的传统处理器、半导体存储器、以及磁或固态存储设备，已知为冯诺伊曼架构(Von Neumann architecture)。具体地，传统计算机的处理器是二进制处理器，即，对以1和0表示的二进制数据进行操作。
[0005]量子处理器(q处理器)使用纠缠的量子位器件的奇特性质(在此紧凑地称为“量子位”、多个“量子位”)来执行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成焊料凸块的方法，所述方法包括：制备转移模具，所述转移模具具有从模具衬底延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层的焊料柱，所述焊料柱具有由第二光致抗蚀剂层部分地限定的形状，其中所述转移模具的所述制备包括去除所述第二光致抗蚀剂层的至少一部分；将器件衬底构造成包括可润湿焊盘；将所述转移模具与所述器件衬底对准，使得所述焊料柱与所述可润湿焊盘对准；在所述焊料柱与所述可润湿焊盘之间形成金属结合；以及去除模具衬底和第一光致抗蚀剂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂层包含永久光致抗蚀剂材料，并且所述第二光致抗蚀剂层包含可剥离光致抗蚀剂材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转移模具的制备包括形成以下中的至少一个：在模具衬底上方的润湿层；位于所述模具衬底上的籽晶层；以及在所述第二光致抗蚀剂层上的非润湿层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模具衬底是柔性的，并且所述转移模具的制备包括将所述转移模具形成为柔性转移模具。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成穿过所述器件衬底的孔。6.根据权利要求5的方法，进一步包括将所述内插器附接到量子位半导体器件上，其中所述量子位半导体器件包括约瑟夫逊结，并且其中所述内插器附接到所述量子位半导体器件上包括将穿过所述内插器的所述孔与所述约瑟夫逊结对齐，以便提供用于访问所述约瑟夫逊结的路径。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述焊料柱是围绕所述量子位半导体器件与所述内插器之间的所述孔形成的用于提供所述约瑟夫逊结的热隔离量的多个焊料柱中的一个。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件衬底包括有机衬底，并且进一步包括形成穿过所述器件衬底的孔。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述焊料柱是所述转移模具的多个焊料柱中的一个，并且其中，所述多个焊料柱包括具有第一直径的第一焊料柱和具有第二直径的第二焊料柱，所述第一直径大于所述第二直径。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件衬底包括半导体衬底，并且所述方法进一步包括在所述半导体衬底中形成深凹部。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体衬底包括在所述深凹部中的电路组件。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属结合的形成包括冷焊接工艺，所述冷焊接工艺在所述焊料柱与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：EP莱万多夫斯基，JW纳赫，姚正邦，PJ索斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：