半导体器件制造技术

本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：在至少一个半导体管芯上的激光直接构造材料，激光直接构造材料至少部分地包封至少一个半导体管芯；激光束激活的导电构件的图案，导电构件在激光直接构造材料中被构造；以及在激光直接构造材料中被构造的导电构件上的导电材料，其中导电材料在导电构件上，导电材料具有邻接导电构件的横向限制表面。利用本公开的实施例，可以获得防止铜(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开涉及半导体器件的实施例，其可以被应用于制造半导体器件，例如集成电路(IC)。

技术介绍

[0002]制造半导体器件(例如，集成电路(IC))是已经吸引了广泛的研究活动的

[0003]尽管在该制造半导体器件的领域中广泛的研究活动，进一步改善的解决方案是被期望的。

技术实现思路

[0004]本公开的一个或多个实施例的目的是有助于在半导体器件的制造中提供改善的解决方案。
[0005]本公开的一方面提供了一种半导体器件，包括：在至少一个半导体管芯上的激光直接构造材料，激光直接构造材料至少部分地包封至少一个半导体管芯；激光束激活的导电构件的图案，导电构件在激光直接构造材料中被构造；以及在激光直接构造材料中被构造的导电构件上的导电材料，其中导电材料在导电构件上，导电材料具有邻接导电构件的横向限制表面。
[0006]根据一个或多个实施例，半导体器件还包括在激光直接构造材料和导电材料上的第二树脂。
[0007]根据一个或多个实施例，半导体器件还包括引线框架，引线框架包含被耦合到至少一个半导体管芯的管芯焊盘以及与管芯焊盘间隔开的引线，引线通过导电材料耦合到管芯焊盘。
[0008]根据一个或多个实施例，其中管芯焊盘包含延伸到管芯焊盘中的凹部，并且耦合到管芯焊盘的至少一个半导体管芯被定位在凹部内。
[0009]根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一侧，以及与第一侧相对的第二侧；在第一侧处的引线框架，引线框架包括：管芯焊盘，具有延伸到管芯焊盘中的凹部；以及引线，与管芯焊盘间隔开；管芯，被定位在凹部内并且耦合到管芯焊盘；第一树脂，覆盖管芯焊盘、引线以及管芯；以及导电结构，延伸到第一树脂中，导电结构具有U形形状，导电结构将管芯耦合到引线，导电结构在第二侧处。
[0010]根据一个或多个实施例，其中具有U形形状的导电结构还包括：第一部分，在第一方向上延伸，第一部分被耦合到管芯；第二部分，在第一方向上延伸，第二部分与第一部分间隔开，第二部分被耦合到引线；以及第三部分，在横切于第一方向的第二方向上延伸，第三部分从第一部分延伸到第二部分，第三部分将第一部分耦合到第二部分。
[0011]根据一个或多个实施例，半导体器件还包括在第一树脂和导电结构上的第二树脂，第二树脂覆盖第一树脂和导电结构。
[0012]根据一个或多个实施例，其中，第一树脂是激光直接构造树脂，并且第二树脂是模制树脂。
[0013]根据一个或多个实施例，其中第一树脂是激光直接构造树脂。
[0014]根据一个或多个实施例，其中:第一树脂还包括第一外表面；以及导电结构还包括从第一树脂暴露的第二外表面，第二外表面与第一外表面横向相邻。
[0015]根据一个或多个实施例，半导体器件还包括覆盖第一外表面和第二外表面的第二树脂。
[0016]利用本公开的实施例，可以获得防止铜(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。
附图说明
[0017]应当理解，为了清楚和易于理解，各个附图可能未按相同的比例绘制。
[0018]现在将仅通过示例的方式，参考附图来描述一个或多个实施例，其中：
[0019]图1是具有横向Cu生长的导电构件的截面图；
[0020]图2A至图2J是本公开的实施例中或在本公开的范围内的可能动作或步骤的示例；以及
[0021]图3是在本公开的一个或多个实施例中或在本公开的范围内的导电构件的截面图。
具体实施方式
[0022]在随后的描述中，示出了各种具体细节以便提供对根据描述的实施例的各种示例的深入理解。可以在没有一个或多个具体细节的情况下或者利用其他方法、部件、材料等来获得实施例。
[0023]在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示关于该实施例描述的特定配置、结构或特性被包括在至少一个实施例中。因此，可以存在于本说明书的各个点中的诸如“在实施例中”、“在一个实施例中”等的短语不一定确切地指代一个和相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何适当的方式组合特定的构形、结构或特性。
[0024]基于在如下所述的本公开中的附图的讨论中的部件的取向，术语“竖直”、“上部”和“底部”仅用于讨论目的。这些术语并非限制性的，因为本公开中明确公开、隐含地公开或固有地公开了可能的位置。
[0025]本文使用的标题/引用仅为了方便而提供，并且因此不限定保护的程度或实施例的范围。
[0026]在半导体器件制造中，引线框架或衬底与被布置在其上的半导体芯片或裸片之间的电连接可以以金属布线的形式提供(所谓的引线接合技术可以是这种方法的示例)。
[0027]可以将绝缘化合物(例如，环氧树脂模制化合物)模制到引线框架或衬底上，以包封布置在其上的半导体管芯或裸片。
[0028]该领域的最近发展(例如，由诸如US2018/342433A1、US2018/342453A1或US2019/115287A1的文献见证)公开了针对该目的使用添加剂模制化合物(例如，激光直接构造(LDS)材料)的可能性。
[0029]激光直接构造(LDS)是现在广泛用于工业和消费电子市场的各种部门中的基于激光的加工技术(例如用于高性能天线集成)，其中天线设计可以被直接形成在模制塑料部件上。在示例性工艺中，模制部件可以使用市售的树脂生产，所述树脂包括适用于LDS方法的添加剂；广泛的树脂，例如聚合物树脂，如PC(聚碳酸酯)、PC/ABS(丙烯腈丁二烯苯乙烯)、ABS和LCP(液晶聚合物)目前可用于该目的。
[0030]在LDS中，激光束可以被用于将期望的导电图案传输到塑料模塑上，然后可以对其进行金属化(例如，通过用铜或其他金属进行化学镀)以完成期望的导电图案。
[0031]例如，一旦导电构件(诸如线或过孔)被构造为经由激光束“激活(activated)”的LDS材料，则可以通过在其上形成导电材料来促进这些构造的电导率。这可以涉及例如通过浸入铜(Cu)化学镀镀液中形成薄膜，紧跟着电镀Cu生长，这导致连接半导体管芯或裸片与引线的厚Cu轨道的形成。
[0032]导电构件20a、20b和导电材料可以被称为导电构件，其具有如U形形状的结构，如图2G
‑
2J所示。
[0033]直接铜互连件已经被认为是难以被适用于具有精细节距的器件，该器件在相邻的导电构件之间具有减小的间距。电镀Cu生长基本上是各向同性的，并且因此可以暗示在导电构件上方的横向Cu生长。
[0034]这在图1中例示，其中附图标记16表示其中形成有凹陷部分16a的衬底。这可以是LDS材料的衬底在16a处暴露于激光束激活能量以在其中构造导电构件(例如，导电线)的情况。附图标记22表示如先前论述的在16a处形成的导电(例如，Cu)轨道或迹线，并且因此展现一定程度的横向生长。
[0035]这种横向生长对相邻导电构件之间的间隙施加约束：事实上，太靠近的间隔可能导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：在至少一个半导体管芯上的激光直接构造材料，所述激光直接构造材料至少部分地包封所述至少一个半导体管芯；激光束激活的导电构件的图案，所述导电构件在所述激光直接构造材料中被构造；以及在所述激光直接构造材料中被构造的所述导电构件上的导电材料，其中所述导电材料在所述导电构件上，所述导电材料具有邻接所述导电构件的横向限制表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括在所述激光直接构造材料和所述导电材料上的第二树脂。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括引线框架，所述引线框架包含被耦合到所述至少一个半导体管芯的管芯焊盘以及与所述管芯焊盘间隔开的引线，所述引线通过所述导电材料耦合到所述管芯焊盘。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述管芯焊盘包含延伸到所述管芯焊盘中的凹部，并且耦合到所述管芯焊盘的所述至少一个半导体管芯被定位在所述凹部内。5.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一侧，以及与所述第一侧相对的第二侧；在所述第一侧处的引线框架，所述引线框架包括：管芯焊盘，具有延伸到所述管芯焊盘中的凹部；以及引线，与所述管芯焊盘间隔开；管芯，被定位在所述凹部内并且耦合到所述管芯焊盘；第一树脂，覆盖所述管芯焊盘、所述引线以及所述管芯；以及导电结...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：