激光植金属凸台方法技术

本发明专利技术提出了一种激光植金属凸台方法，用于半导体晶片、芯片以及电路基板上的金属盘植金属凸台。金属箔(5)贴盖金属盘(11)，采用激光切割分离出底层金属箔(51)，之后又金属箔(5)贴盖在底层金属箔(51)上，又激光切割分离出第二层金属箔(52)，这样若干层金属箔累叠构成金属凸台。本发明专利技术利用激光精准微小切割，设备造价低，工序简化，效率高。效率高。效率高。

【技术实现步骤摘要】
激光植金属凸台方法


[0001]本专利技术属于半导体晶片封装技术以及PCB电路基板
，特别涉 及POP(package on package)封装。

技术介绍

[0002]图1所示的是一种POP封装，上下两电子基板1(半导体晶片(又称裸 晶)或已封装的芯片基板)通过金属凸台2键合，实现上下两电子基板1之间 电的联通，金属凸台2必须足够高，使得上下两电子基板1之间能够设置内置 晶片或芯片3。现设置金属凸台2的技术方案：金属凸台2采用铜柱(也有称 为键合铜柱)，电子基板1上的金属盘11印刷有锡膏，键合铜柱预置在编带中， 采用SMT设备将键合铜柱放置到金属盘11上的锡膏上，采用回流焊工艺实现 键合铜柱焊接在金属盘11上，工序多，效率低，键合铜柱微小(0.25mm直径、 0.4mm)，键合铜柱必须准确垂直焊接于金属盘11上，键合铜柱精度品质高， 锡膏以及印刷要求高，设备精细昂贵等等，导致造价高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就是针对以上所述的问题，提出了一种激光植金属凸台技 术方案，利用激光能够精准微小切割，直接在电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光植金属凸台方法，用于半导体晶片，或芯片，或PCB基板上的金属盘植金属凸台，其特征在于：采用金属箔(5)贴盖所述金属盘上，金属箔(5)的面积大于所要植的金属凸台的面积，采用激光切割所述金属盘上的金属箔(5)，切割分离出所述金属凸台的底层金属箔(51)，之后又采用金属箔(5)贴盖在底层金属箔(51)上，金属箔(5)的面积大于底层金属箔(51)的面积，采用激光切割贴盖在底层金属箔(51)上的金属箔(5)，切割分离出所述金属凸台的第二层金属箔(52)；所述金属凸台采用了不少于两层金属箔构成。2.根据权利要求1所述的激光植金属凸台方法，其特征在于：同一个金属箔(5)覆盖着不少于两个所述金属盘。3.根据权利要求2所述的激光植金属凸台方法，其特征在于：针对于没有分切的晶圆或芯片封装拼板，所述晶圆上的所有的半导体晶片或所述芯片封装拼板上的所有的芯片，由同一个金属箔(5)覆盖。4.根据权利要求1或2或3所述的激光植金属凸台方法，其特征在于：金属箔(5)的基材的熔点大于300℃。5.根据权利要求4所述的激光植金属凸台方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClH零一L二一四八，
申请(专利权)人：深圳市秦博核芯科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：