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本发明提出了一种激光植金属凸台方法，用于半导体晶片、芯片以及电路基板上的金属盘植金属凸台。金属箔(5)贴盖金属盘(11)，采用激光切割分离出底层金属箔(51)，之后又金属箔(5)贴盖在底层金属箔(51)上，又激光切割分离出第二层金属箔(52...
该专利属于深圳市秦博核芯科技开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市秦博核芯科技开发有限公司授权不得商用。

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