【技术实现步骤摘要】
集成电路、可折叠封装结构及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及集成电路、可折叠封装结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]集成电路（IC）是一种微型电子器件或部件。采用光刻、外延、扩散、物理气相沉积、化学气相沉积、引线键合、倒装等合适的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。而为了进一步提集成电路的集成度，进而需要改变封装工艺，以形成新型的可折叠封装结构，进而可以利用该可折叠封装结构形成新型的集成电路。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种集成电路、可折叠封装结构及其形成方法。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种可折叠封装结构的形成方法...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可折叠封装结构的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：提供一载体衬底，在所述载体衬底上形成第一柔性封装层；步骤2：在所述第一柔性封装层的两侧面分别形成多个第一沟槽；步骤3：利用图案化掩膜版在所述第一柔性封装层上旋涂金属纳米线悬浮液体和黑磷纳米片溶液以形成柔性复合导电线路层，所述柔性复合导电线路层填满多个所述第一沟槽；步骤4：在所述第一柔性封装层上安装多个第一半导体芯片、多个第二半导体芯片以及多个第三半导体芯片，所述多个第一半导体芯片与所述多个第二半导体芯片之间只有一个第一弯折区，所述多个第二半导体芯片与所述多个第三半导体芯片之间只有一个第二弯折区；步骤5：在所述第一柔性封装层上形成第二柔性封装层，所述第二柔性封装层包裹所述多个第一半导体芯片、所述多个第二半导体芯片和所述多个第三半导体芯片；步骤6：对所述第二柔性封装层的一端进行开孔处理以形成多个第一开孔，多个所述第一开孔均露出所述柔性复合导电线路层，在多个所述第一开孔中沉积导电材料以形成多个第一导电通孔；步骤7：在所述第二柔性封装层上旋涂金属纳米线悬浮液体和黑磷纳米片溶液以形成第一柔性电极层，所述第一柔性电极层通过多个所述第一导电通孔与所述柔性复合导电线路层电连接，在所述第一柔性电极层上形成超薄绝缘介质层，所述超薄绝缘介质层厚度为5
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9纳米；步骤8：在所述第二柔性封装层的另一端进行开孔处理以形成多个第二开孔，多个所述第二开孔均露出所述柔性复合导电线路层，在多个所述第二开孔中沉积导电材料以形成多个第二导电通孔；步骤9：在所述超薄绝缘介质层上旋涂金属纳米线悬浮液体和黑磷纳米片溶液以形成第二柔性电极层，所述第二柔性电极层通过多个所述第二导电通孔与所述柔性复合导电线路层电连接，所述第一柔性电极层、所述超薄绝缘介质层和所述第二柔性电极层组成柔性电容元件，去除所述载体衬底以得到所述可折叠封装结构。2.根据权利要求1所述的可折叠封装结构的形成方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：张琳，王训朋，李华文，
申请(专利权)人：威海艾迪科电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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