竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质制造方法及图纸

本申请的实施例涉及竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲半导体材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成第一竖直开口，以暴露所述牺牲半导体材料的第一区域。选择性地去除所述第一区域以形成第一水平开口，在所述第一水平开口中，替代牺牲栅极介电材料、形成所述三节点存取装置的源极/漏极导电接触材料、沟道导电材料和数位线导电接触材料。电材料和数位线导电接触材料。电材料和数位线导电接触材料。

【技术实现步骤摘要】
竖直三维存储器三节点存取装置形成中的替代栅极电介质


[0001]本公开总体上涉及存储器装置，并且更具体地涉及在三节点存取装置形成之后的存储节点和用于竖直的三维(3D)存储器的结构。

技术介绍

[0002]存储器经常在如计算机、手机和手持式装置等电子系统中实施。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据并且可以包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可以在断电时通过保留存储的数据来提供持久性数据，并且可以包含NAND闪存、NOR闪存、氮化物只读存储器(NROM)、相变存储器(例如，相变随机存取存储器)、电阻式存储器(例如，电阻式随机存取存储器)、交叉点存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)等。
[0003]随着设计规则缩小，较少的半导体空间可用于制造包含DRAM阵列的存储器。用于DRAM的相应存储器胞元可以包含具有由沟道区域分开的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的存取装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线，所述方法包括：沉积介电材料(430，530，630，730，830，930，1030)和牺牲材料(432，532，632，732，832，932，1032)的交替层以形成竖直堆叠(401)；使用第一蚀刻工艺来形成多个第一竖直开口(771，871)，所述多个第一竖直开口穿过所述竖直堆叠到达衬底具有第一水平方向(509，609，709，809，909)和第二水平方向(505，605，705，805，905)并且主要在所述第二水平方向(505，605，705，805，905)上延伸以在所述竖直堆叠(401)中形成具有侧壁的细长竖直柱列；在所述第一竖直开口(771，871)中将第一导电材料(528)保形地沉积在牺牲栅极介电材料(538，638，738，838，938)上以沿所述细长竖直柱列的所述侧壁形成多条单独的竖直存取线；使用第二蚀刻工艺来形成第二竖直开口(951)，所述第二竖直开口穿过所述竖直堆叠(401)并且主要在所述第一水平方向(509，609，709，809，909)上延伸以暴露邻近所述牺牲材料(432，532，632，732，832，932，1032)的第一区域的第二侧壁；选择性地去除所述第一区域以形成第一水平开口(733)；选择性地去除所述牺牲栅极介电材料(538，638，738，838，938)的能够从所述第一水平开口(733)接近的一部分；将替代栅极介电材料(760，860)沉积在所述牺牲栅极介电材料(538，638，738，838，938)被去除处；以及顺序地沉积第一源极/漏极材料(221，321)、沟道材料(225，325)、第二源极/漏极材料(223，323)以形成水平定向的存取装置(230，330，1042)。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括沉积高介电常数(高k)材料作为所述替代栅极介电材料。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括沉积介电常数大于九(k≥9)的高介电常数(高k)材料作为所述替代栅极介电材料。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括沉积二氧化硅(SiO2)作为所述牺牲栅极介电材料。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括执行多相折返以选择性地去除所述牺牲栅极介电材料的所述部分。6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括执行时间折返以选择性地去除所述牺牲栅极介电材料的所述部分。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括选择性地去除所述牺牲栅极介电材料的一部分以向所述存取线提供结构稳定性。8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括使用第三蚀刻工艺来形成第三竖直开口，所述第三竖直开口穿过所述竖直堆叠并且主要在所述第一水平方向上延伸以暴露所述竖直堆叠中的邻近所述牺牲半导体材料的第二区域的第三侧壁。9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在沉积所述源极/漏极材料之前选择性地蚀刻所述牺牲材料的一部分以形成所述存储器胞元的存储节点(227，1044)。
10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：沉积多晶硅(poly
‑
Si)材料作为所述牺牲材料；以及沉积氮化硅(SiN)材料作为所述介电材料。11.一种用于形成存储器阵列的方法，所述存储器阵列具有竖直堆叠的存储器胞元并且具有带有竖直定向的存取线的横向定向的存取装置，所述方法包括：在重复迭代中竖直地沉积第一介电材料(430，530，630，730，830，930，1030)和牺牲材料(432，532，632，732，832，932，1032)的层以形成竖直堆叠(401)；图案化并蚀刻所述竖直堆叠(401)以形成穿过竖直重复层的第一竖直开口(771，871)；通过所述第一竖直开口(771，871)将导电材料(528)沉积到牺牲栅极介电材料(538，638，738，838，938)的表面上；蚀刻所述竖直堆叠(401)以形成第二竖直开口(951)从而暴露所述竖直堆叠(401)的在第一水平方向(509，609，709，809，909)上延伸的侧壁；在所述第一水平方向(509，609，709，809，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：