横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该方法包括获取形成有漂移区、栅极结构、源极区、漏极区的衬底；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在衬底上形成包括第二氧化层薄膜和第二刻蚀阻挡层薄膜的孔刻蚀阻挡层薄膜；进行刻蚀工艺，在金属硅化物阻挡层上形成第一接触孔，第一接触孔的底部停留在金属硅化物阻挡层的表面；在引出区域上形成第二接触孔，第二接触孔的底部停留在引出区域的表面；其中，在引出区域上形成第二接触孔至少包括在漏极区上形成漏极接触孔、在源极区上形成源极接触孔和在未被金属硅化物阻挡层覆盖的栅极结构上形成栅极接触孔中的一种。避免了工艺制程的波动对孔型金属场板的悬浮高位置的影响。位置的影响。位置的影响。

【技术实现步骤摘要】
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法、电子装置


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，还涉及一种电子装置。

技术介绍

[0002]对于中压档位(16～80V)NLDMOS(N laterally-diffused metal-oxide semiconductor)器件，通常使用金属场极板(metal plate)，悬空源接触孔(floating source contact)、或者栅极场极板(gate plate)等方式进一步降低表面电场(RESUF，Reduce surface field)，在相同Rsp能力下实现BVoff的提升。但是Metal plate和gate plate需要增加制造工艺非光刻层数，提高了LDMOS的制造成本。
[0003]典型的一种省光刻版的制造工艺是通过在LDMOS漂移区上方的金属硅化物阻挡层中形成悬空金属场板来进一步降低表面电场，但是受金属硅化物阻挡层上层间介质层的厚度和刻蚀速率的影响，悬空金属场板在晶圆中心位置的悬停位置和在晶圆边缘的悬停位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；漂移区，位于所述衬底中；栅极结构，位于所述衬底上，且覆盖所述漂移区的部分表面；漏极区，位于所述栅极结构一侧的所述漂移区中；源极区，位于所述栅极结构另一侧的衬底中；金属硅化物阻挡层，覆盖所述漂移区位于所述栅极结构和所述漏极区之间的表面，并延伸到部分所述栅极结构的表面；孔刻蚀阻挡层，包括第二氧化层和位于第二氧化层表面的第二刻蚀阻挡层，所述第二氧化层和所述第二刻蚀阻挡层位于所述栅极结构、所述金属硅化物阻挡层、所述源极区及所述漏极区上；第一接触孔，开设于所述金属硅化物阻挡层上，且贯穿所述金属硅化物阻挡层上方的孔刻蚀阻挡层，所述第一接触孔的底部停留在所述金属硅化物阻挡层的表面；第二接触孔，开设于引出区域上，且贯穿所述引出区域上方的孔刻蚀阻挡层，且所述第二接触孔的底部停留在所述引出区域的表面；其中，所述引出区域至少包括漏极区、源极区、未被所述金属硅化物阻挡层覆盖的所述栅极结构中的一种，所述第二接触孔与所述引出区域对应，至少包括开设于漏极区上的漏极接触孔、开设于源极区上的源极接触孔和开设于未被所述金属硅化物阻挡层覆盖的所述栅极结构上的栅极接触孔中的一种。2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层自下而上包括第二氮氧化硅层和第二氮化硅层；或所述第二刻蚀阻挡层包括第二氮氧化硅层；或所述第二刻蚀阻挡层包括第二氮化硅层。3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层自下而上包括依次层叠的第一氧化层、第一氮化硅层；或所述金属硅化物阻挡层自下而上包括依次层叠的第一氧化层、第一氮化硅层和第一氮氧化硅层；或所述金属硅化物阻挡层自下而上包括依次层叠的第一氧化层、第一氮氧化硅层。4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一接触孔的宽度大于所述第二接触孔的宽度。5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：金属硅化物，位于未被所述金属硅化物阻挡层覆盖的所述栅极结构的表面，所述源极区的表面，以及所述漏极区的表面。6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括层间介质层，位于所述孔刻蚀阻挡层上，所述第一接触孔贯穿所述金属硅化物阻挡层上方的所述层间介质层，所述第二接触孔贯穿所述引出区域上方的所述层间介质层。7.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：获取衬底，所述衬底中形成有漂移区，在所述衬底上形成有覆盖所述漂移区的部分表面的栅极结构，在所述栅极结构的一侧的所述漂移区中形成有漏极区，在所述栅极结构另一侧的衬底中形成有源极区；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖在所述漂移区位于
所述栅极结构和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宏峰，曹瑞彬，朱文明，张文文，林峰，金华俊，李春旭，陈淑娴，黄宇，杨斌，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：