应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法。所述RFLDMOS器件包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，所述源极还经一导电通道与所述衬底连接；所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本发明专利技术提供的RFLDMOS器件，有效抑制了沟道热载流子注入效应，提升了电流密度。提升了电流密度。提升了电流密度。

【技术实现步骤摘要】
应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种RFLDMOS器件，特别涉及一种应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法，属于半导体


技术介绍

[0002]RF LDMOS是为射频功率放大器而设计的N型MOSFET器件，具有横向沟道结构，漏极、源极和栅极都在芯片表面，源极一般由体内高杂质浓度通道与衬底底部相连接并接地，在沟道与漏极之间有一个低浓度的N型漂移区，LDMOS采用双扩散技术，在同一光刻窗口相继进行硼磷两次扩散，由两次杂质扩散横向结深之差可精确地决定沟道长度。
[0003]图1为本专利技术人提供的一种现有RFLDMOS器件结构，其中，11为P型重掺杂衬底、12为P型外延层、21为N型漂移区、22为N型重掺杂源区、23为N型重掺杂漏区、25
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为P型阱区、26为P型重掺杂区、31为栅氧化层、32为多晶硅栅极、33为金属硅化物层、34为栅极侧壁、35为场板、41为导电通道、42为接触孔金属、51为绝缘介质层、61、62为金属电极；现有RFLDMOS器件采用P型沟道，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、漂移区电性接触或电性结合，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、栅极和漏极，所述栅极对应设置在所述沟道区的上方，所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，并且，所述源极还经一导电通道与所述衬底连接；其中，所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。2.根据权利要求1所述应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于：所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。3.根据权利要求1所述应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于：所述外延层的厚度为2-20μm；优选的，所述沟道区的长度为0.1-1μm；优选的，所述漂移区的长度为0.1-10μm。4.根据权利要求1所述应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于：所述外延层上还设置有栅氧化层，所述栅极设置在所述栅氧化层上；优选的，所述栅氧化层的材质包括二氧化硅。5.根据权利要求4所述应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于：所述外延层上还设置有介质层，所述介质层位于所述源极、漏极与栅极之间；优选的，所述导电通道连续贯穿所述介质层、外延层并与所述衬底连接；优选的，所述导电通道包括重掺杂P型或N型深阱、金属通孔、硅片通道中的任意一种；优选的，所述介质层的材质包括二氧化硅。6.根据权利要求5所述应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于还包括与所述栅极相匹配的场板结构，所述场板结构对应设置在所述漂移区的上方；优选的，所述场板结构分布在所述介质层内。7.根据权利要求1所述应用于射频放大的RFLDMOS器件，其特征在于包括沿指定方向依次设置的P型重掺杂衬底、P型外延层、栅氧化层和栅极，所述P型外延层内分布有N型沟道区、N型漂移区和P型阱区，所述N型漂移...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭虎，莫海锋，岳丹诚，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：