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本发明公开了一种应用于射频放大的RFLDMOS器件及其制作方法。所述RFLDMOS器件包括依次叠层设置的衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区和阱区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述阱区、...
该专利属于苏州华太电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术有限公司授权不得商用。

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