半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目标层，所述基底包括用于形成目标图形的目标区和与切割位置对应的切割区；在目标层上形成分立的核心层；在所述核心层的侧壁上形成伪侧墙；在所述核心层和伪侧墙露出的目标层上形成填充层；去除部分高度的所述伪侧墙，剩余所述伪侧墙与所述填充层和核心层与围成沟槽；在所述沟槽中填充掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙后，去除所述核心层和填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，去除位于所述切割区的剩余所述伪侧墙；以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成位于所述目标区的目标图形。本发明专利技术实施例有利于增大去除切割区的掩膜侧墙的工艺窗口。的工艺窗口。的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极结构电压夹断(Pinch Off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(Subthreshold Leakage)现象，即所谓的短沟道效应(Short-Channel Effects，SCE)更容易发生。
[0003]因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括目标层，所述基底包括用于形成目标图形的目标区和与切割位置对应的切割区；在所述目标层上形成分立的核心层；在所述核心层的侧壁上形成伪侧墙；在所述核心层和伪侧墙露出的目标层上形成填充层；去除部分高度的所述伪侧墙，剩余所述伪侧墙与所述填充层和核心层与围成沟槽；在所述沟槽中填充掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙后，去除所述核心层和填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，去除位于所述切割区的剩余所述伪侧墙；以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化所述目标层，形成位于所述目标区的目标图形。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分高度的所述伪侧墙的步骤中，去除30％至60％高度的所述伪侧墙。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分高度的所述伪侧墙的工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀中的一种或两种工艺。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜侧墙的材料与所述伪侧墙、填充层和核心层中的任一个的材料均不同。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜侧墙的步骤包括：在所述沟槽中填充掩膜侧墙材料，掩膜侧墙材料还覆盖于所述填充层和核心层的顶面上；去除高于所述填充层和核心层的顶面的所述掩膜侧墙材料，形成所述掩膜侧墙。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜侧墙材料的工艺包括原子层沉积工艺。7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用刻蚀工艺，去除高于所述填充层和核心层的顶面的掩膜侧墙材料；所述刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述切割区的掩膜侧墙的步骤包括：在所述填充层和核心层、以及所述目标区的掩膜侧墙上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有暴露出所述切割区的掩膜侧墙的掩膜开口；以所述掩膜层为掩膜，去除所述掩膜开口露出的掩膜侧墙；去除所述掩膜层。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙和掩膜侧墙之间的刻蚀选择比至少为10:1。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述核心层和填充层的工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀中的一种或两种...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：