【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]光刻(Photolithography)技术是常用的一种图形化方法，是半导体制造工艺中最为关键的生产技术。随着半导体工艺节点的不断减小，自对准双重图形化(Self-Aligned Double Patterning，SADP)方法成为近年来受到青睐的一种图形化方法，该方法能够增加形成于衬底上的图形的密度，进一步缩小相邻两个图形的间距(Pitch)，从而使光刻工艺克服光刻分辨率的极限。
[0003]随着图形特征尺寸(Critical Dimension，CD)的不断缩小，自对准四重图形化(Self-Aligned Quadruple Patterning，SAQP)方法应运而生。自对准双重图形化方法在衬底上所形成图形的密度是利用光刻工艺在衬底上所形成图形的密度的两倍，即可以获得1/2最小间距(1/2pitch)，而自对准四重图形化方法在不改变目前光刻技术的前提下(即光刻窗口大小不变)，在衬...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；在所述目标层上形成分立的核心层；在所述核心层的侧壁上形成伪侧墙；在所述核心层和伪侧墙露出的目标层上形成填充层；去除部分高度的所述伪侧墙，剩余所述伪侧墙与所述填充层以及核心层围成沟槽；在所述沟槽中填充掩膜侧墙；形成所述掩膜侧墙后，去除所述核心层和填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化所述目标层，形成目标图形。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜侧墙的步骤包括：在所述沟槽中填充掩膜侧墙材料，掩膜侧墙材料还覆盖于所述填充层和核心层的顶面上；去除高于所述填充层和核心层的顶面的所述掩膜侧墙材料，形成所述掩膜侧墙。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜侧墙材料的工艺包括原子层沉积工艺。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用刻蚀工艺，去除高于所述填充层和核心层的顶面的所述掩膜侧墙材料；所述刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分高度的所述伪侧墙的步骤中，去除50％至75％高度的所述伪侧墙。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分高度的所述伪侧墙的工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀中的一种或两种工艺。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙和所述填充层之间的刻蚀选择比至少为50：1；所述伪侧墙和所述核心层之间的刻蚀选择比至少为50：1。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪侧墙的步骤包括：形成保形覆盖所述核心层和目标层的侧墙膜，位于所述核心层侧壁上的侧墙膜用于作为所述伪侧墙；形成所述填充层的步骤包括：形成覆盖所述侧墙膜的填充材料层；以位于所述核心层顶面的所述侧墙膜顶部为停止位置，平坦化所述填充材料层；在平坦化所述填充材料层后，去除高于所述核心层顶面的填充材料层，形成所述填充层；所述半导体结构的形成方法还包括：在去除高于所述核心层顶面的填充材料层的步骤中，去除位于所述核心层顶面上的所述侧墙膜；以所述掩膜侧墙为掩膜，刻蚀所述伪侧墙和所述侧墙膜。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底后，形成所述核心层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述目标层上形成刻蚀缓冲层；所述侧墙膜形成在所述刻蚀缓冲层上；所述半导体结构的形成方法还包括：在以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层之前，以所述掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述侧墙膜、刻蚀缓冲层和伪侧墙。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀缓冲层与所述
伪侧墙之间的刻蚀选择比为1：2至2：1。11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙的材料与所述刻蚀缓冲层的材料相同。12.如权利要求9所述的半导体结构的形成方...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹志军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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