【技术实现步骤摘要】
一种多个MOS管快速组装压紧结构
[0001]本技术涉及MOS管加工
,具体为一种多个MOS管快速组装压紧结构。
技术介绍
[0002]MOS管,是MOSFET的缩写。一般是金属—氧化—半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。G:gate栅极;S:source源极;D:drain漏极。MOS管的源极和耗尽层是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
[0003]现有的MOS管组装过程中,需要先将MOS管的移动进行固定,传统的固定装置均为两组压板进行上下的压制,需要另外施加力,操作繁琐,且在压制过程中容易造成多组MOS管之间的距离不好调控,组装时不易定位。
[0004]针对上述问题,本技术提出了一种多个MOS管快速组装压紧结构。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种多个MOS管快速组装压紧结构,放置槽等距开设在放置台的上表面,放置台的下端固定安装有与丝杆螺纹贯 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多个MOS管快速组装压紧结构,包括操作台(1)和活动安装在操作台(1)上端的放置机构(2),其特征在于:所述操作台(1)的上表面铰接有按压机构(3),按压机构(3)的下端活动安装有压紧机构(4);所述压紧机构(4)包括压紧板(41)和固定安装在压紧板(41)下端的硅胶垫(42),压紧板(41)的两端固定安装有固定耳(43)。2.根据权利要求1所述的一种多个MOS管快速组装压紧结构,其特征在于:所述操作台(1)的上表面开设有滑槽(11),滑槽(11)设置在操作台(1)的中心位置,且内部设置有丝杆(12),丝杆(12)的一侧固定安装有把手(13)。3.根据权利要求1所述的一种多个MOS管快速组装压紧结构,其特征在于:所述放置机构(2)包括放置台(21)和开设在放置台(21)上表面的放置槽(22),放置槽(22)等距开设在放置台(21)的上表面,放置台(21)的下端固定安装有与丝杆(12)螺纹贯穿连接的滑块(23)。4.根据权利要求1所述的一种多个MOS管快速组装压紧结构,其特征在于:所述按压机构(3)包括与操作台(1)上表面铰接的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈智,
申请(专利权)人:深圳市宇宏微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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