一种碳化硅结型场效应管制造技术

本技术公开的一种碳化硅结型场效应管，属于场效应管技术领域；包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅衬底部设置漏极导电层，N型碳化硅外延层顶部两侧设置有P+注入区，P+注入区内设置N+注入区，P+注入区顶部设置有与N+注入区对应的源极导电层，两个源极导电层之间设置有栅极导电层，栅极导电层底部设置栅极条，栅极条下方设置氧化层，氧化层抵压置于两个P+注入区之间，通过栅极导电层与P+注入区两侧接触，P+注入区将N+注入区包围，在N+注入区在P+注入区上形成隔绝体，可有效防止栅极导电层与N+注入区直接接触，通过P+注入区将N+注入区包围，并且利用下外延层和N+注入区之间的绝缘层，有效的隔绝了载流子的跃迁。

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种碳化硅结型场效应管，属于场效应管。

技术介绍

1、碳化硅场效应管是新型的半导体器件，它具有高温高频高压、高功率等优点，被广泛应用于电力电子、航空航天、军事等领域，碳化硅场效应管的工作原理是利用pn结的电场控制电流，当控制电极施加一定的电压时，可以改变pn结的电场分布，从而控制电流的大小。与传统的硅基场效应管相比，碳化硅场效应管具有更高的电子迁移率和更低的电阻，因此可以承受更高的电压和电流，同时也具有更高的开关速度和更低的开关损耗,现有的碳化硅结型场效应管省去传统平面型碳化硅器件jfet注入，通常设置第二层n型碳化硅外延层，使第二层n型碳化硅外延层与两侧的p+注入区接触，例如公开号cn116741806a公开了一种高可靠型的碳化硅场效应管结构及其制造工艺，其包括n型碳化硅衬底，外延层包括由下至上依次层叠的第一n型碳化硅外延层和第二n型碳化硅外延层，在第一n型碳化硅外延层的上表面上还设有绝缘层，绝缘层上设有p+注入区和n+注入区，该专利在使用时会存在以下缺陷：

2、由于第二层n型碳化硅外延层与两侧的p+注入区接触，栅极导电层与p+注入区本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅结型场效应管，包括N型碳化硅衬底(6)、N型碳化硅外延层(5)，所述N型碳化硅衬底(6)部设置漏极导电层(7)，N型碳化硅外延层(5)顶部两侧设置有P+注入区(4)，其特征在于：P+注入区(4)内侧设置N+注入区(2)，P+注入区(4)顶部设置有与N+注入区(2)对应的源极导电层(1)，两个源极导电层(1)之间设置有栅极导电层(3)，栅极导电层(3)底部设置栅极条(9)，栅极条(9)下方设置氧化层(8)，氧化层(8)抵压置于两个P+注入区(4)之间。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅结型场效应管，其特征在于：所述N型碳化硅外延层(5)包括上外延层(5.1)、下...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅结型场效应管，包括n型碳化硅衬底(6)、n型碳化硅外延层(5)，所述n型碳化硅衬底(6)部设置漏极导电层(7)，n型碳化硅外延层(5)顶部两侧设置有p+注入区(4)，其特征在于：p+注入区(4)内侧设置n+注入区(2)，p+注入区(4)顶部设置有与n+注入区(2)对应的源极导电层(1)，两个源极导电层(1)之间设置有栅极导电层(3)，栅极导电层(3)底部设置栅极条(9)，栅极条(9)下方设置氧化层(8)，氧化层(8)抵压置于两个p+注入区(4)之间。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅结型场效应管，其特征在于：所述n型碳化硅外延层(5)包括上外延层(5.1)、下...

【专利技术属性】
技术研发人员：胥超，陈智，刘宏森，
申请(专利权)人：深圳市宇宏微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：