一种沟槽式高功率MOS半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及MOS半导体技术领域，公开了一种沟槽式高功率MOS半导体器件，包括MOS半导体和MOS半导体一端设置的引脚，MOS半导体外表面两侧开设有沟槽，沟槽外表面一侧设置有直角杆，一对直角杆之间设置有横板，横板一侧设置有套管，沟槽一端设置有圆弧端，沟槽内腔设置有移动槽，移动槽一端设置有旋转槽，直角杆外表面一侧设置有第一连杆，第一连杆一端设置有矩形块，矩形块位于移动槽内腔，横板两端设置有直角杆，从而使套管对引脚起到一定的防护效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽式高功率MOS半导体器件


[0001]本技术涉及MOS半导体
，具体为一种沟槽式高功率MOS半导体器件。

技术介绍

[0002]MOS半导体器件是栅控型多子导电器件，具有功耗低、开关速度快、驱动能力强、负温度系数等优点，被广泛用于各种功率电子系统的电源模块，起着功率变换或功率转换的作用，是功率集成电路及功率集成系统的核心元器件之一。
[0003]现在的沟槽式高功率MOS半导体器件，在生产后，其MOS半导体下端设置有多组引脚，通过引脚与电路板进行连接，从而实现MOS半导体的运用，但是MOS半导体引脚较长，在安装前容易出现引脚的弯曲，从而影响MOS半导体安装，因此需要对MOS半导体引脚进行一定弯曲防护。
[0004]针对上述问题。为此，提出一种沟槽式高功率MOS半导体器件。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种沟槽式高功率MOS半导体器件，通过引脚外表面套接有套管，套管一端设置有横板，横板两端设置有直角杆，从而使套管对引脚起到一定的防护效果，从而解决了上述
技术介绍
中的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种沟槽式高功率MOS半导体器件，包括MOS半导体和MOS半导体一端设置的引脚，所述MOS半导体外表面两侧开设有沟槽，沟槽外表面一侧设置有直角杆，一对直角杆之间设置有横板，横板一侧设置有套管。
[0007]优选的，所述沟槽一端设置有圆弧端，沟槽内腔设置有移动槽，移动槽一端设置有旋转槽。
[0008]优选的，所述直角杆外表面一侧设置有第一连杆，第一连杆一端设置有矩形块，矩形块位于移动槽内腔。
[0009]优选的，所述移动槽内腔壁设置有限位块。
[0010]优选的，所述限位块呈三角状结构。
[0011]优选的，所述相邻套管之间设置有第二连杆。
[0012]优选的，所述套管的长度是沟槽整体长度的二分之一。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0014]1、本技术提出的一种沟槽式高功率MOS半导体器件，通过引脚外表面套接有套管，套管一端设置有横板，横板两端设置有直角杆，从而使套管对引脚起到一定的防护效果。
[0015]2、本技术提出的一种沟槽式高功率MOS半导体器件，当反向移动套管后后，其矩形块能够卡在一对限位块之间，从而对直角杆起到一定的限位固定效果，从而方便MOS半导体下端引脚的安装。
附图说明
[0016]图1为本技术的整体结构示意图；
[0017]图2为本技术的MOS半导体结构示意图；
[0018]图3为本技术的MOS半导体侧视内部结构示意图；
[0019]图4为本技术的图3中A处放大结构示意图；
[0020]图5为本技术的横板结构示意图；
[0021]图6为本技术的图5中B处放大结构示意图。
[0022]图中：1、MOS半导体；11、沟槽；12、圆弧端；13、引脚；14、旋转槽；15、移动槽；151、限位块；2、横板；21、套管；22、直角杆；221、第一连杆；222、矩形块；23、第二连杆。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]为了解决MOS半导体1引脚13防弯曲的技术问题，如图1
‑
3和图5
‑
6所示，提供以下优选技术方案：
[0025]一种沟槽式高功率MOS半导体器件，包括MOS半导体1和MOS半导体1一端设置的引脚13，MOS半导体1外表面两侧开设有沟槽11，沟槽11外表面一侧设置有直角杆22，一对直角杆22之间设置有横板2，横板2一侧设置有套管21，相邻套管21之间设置有第二连杆23，沟槽11一端设置有圆弧端12，沟槽11内腔设置有移动槽15，移动槽15一端设置有旋转槽14，直角杆22外表面一侧设置有第一连杆221，第一连杆221一端设置有矩形块222，矩形块222位于移动槽15内腔，套管21的长度是沟槽11整体长度的二分之一。
[0026]具体的，通过引脚13外表面套接有套管21，套管21一端设置有横板2，横板2两端设置有直角杆22，从而使套管21对引脚13起到一定的防护效果，且引脚13需要进行连接时，可横向拉动套管21，套管21通过横板2带动两端设置的直角杆22，使矩形块222能够沿着移动槽15进行移动，使套管21能够脱离引脚13，在套管21脱离引脚13后，可转动套管21，使矩形块222能够在旋转槽14内腔进行旋转，随后反向移动套管21后，通过套管21从而延伸MOS半导体1整体长度，进而方便安装MOS半导体1。
[0027]为了解决套管21移动后防滑的技术问题，如图4和图6所示，提供以下优选技术方案：
[0028]移动槽15内腔壁设置有限位块151，限位块151呈三角状结构。
[0029]具体的，当反向移动套管21后后，其矩形块222能够卡在一对限位块151之间，从而对直角杆22起到一定的限位固定效果，从而方便MOS半导体1下端引脚13的安装，且持续的拉动套管21后，即可使直角杆22脱离沟槽11，从而使套管21不会影响MOS半导体1的安装。
[0030]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要
素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
[0031]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式高功率MOS半导体器件，包括MOS半导体（1）和MOS半导体（1）一端设置的引脚（13），其特征在于：所述MOS半导体（1）外表面两侧开设有沟槽（11），沟槽（11）外表面一侧设置有直角杆（22），一对直角杆（22）之间设置有横板（2），横板（2）一侧设置有套管（21）。2.根据权利要求1所述的一种沟槽式高功率MOS半导体器件，其特征在于：所述沟槽（11）一端设置有圆弧端（12），沟槽（11）内腔设置有移动槽（15），移动槽（15）一端设置有旋转槽（14）。3.根据权利要求2所述的一种沟槽式高功率MOS半导体器件，其特征在于：所述直角杆（22）外表面一侧设置有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智，
申请(专利权)人：深圳市宇宏微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：