图像传感器的形成方法技术

一种图像传感器的形成方法，包括：提供基底，所述基底内具有光电掺杂区；在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括：位于所述光电掺杂区表面的栅氧层、以及位于所述栅氧层表面的栅电极；在形成所述栅极结构之后，进行紫外线辐射处理。从而，改善了图像传感器的性能。改善了图像传感器的性能。改善了图像传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种图像传感器的形成方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是把图像信号转化成电信号的半导体装置，其被分为电荷耦合图像传感器(CCD)和CMOS图像传感器(CIS，CMOS Image Sensor)。
[0003]电荷耦合图像传感器(CCD)虽然成像质量好，但是由于制造工艺复杂，只有少数的厂商能够掌握，所以导致制造成本居高不下，特别是大型电荷耦合图像传感器，价格非常高昂，而且其复杂的驱动模式、高能耗以及多级光刻工艺，使其制造工艺中存在很大困难，不能满足产品的需求。
[0004]CMOS图像传感器具有低能耗的特点。不仅如此，其相对少的光刻工艺步骤使得制造工艺相对简单。此外，CMOS图像传感器允许控制电路、信号处理电路和模数转化器被集成在芯片上，由此，可以广泛适用于各种领域、各种尺寸的产品中。
[0005]然而，CMOS图像传感器的性能有待进一步改进。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种图像传感器的形成方法，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有光电掺杂区；在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括：位于所述光电掺杂区表面的栅氧层、以及位于所述栅氧层表面的栅电极；在形成所述栅极结构之后，进行紫外线辐射处理。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之后，并且，在进行所述紫外线辐射处理之前，还包括：在所述光电掺杂区和栅极结构上形成若干导电结构层，所述导电结构层包括互连层、以及包围所述互连层的层间介质层。3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成若干导电结构层之后，并且，在进行所述紫外线辐射处理之前，还包括：在所述若干导电结构层上形成顶层导电结构层，所述顶层导电结构层包括顶层介电层、以及位于所述顶层介电层内的顶层互连层，所述顶层介电层暴露出所述顶层互连层的表面。4.如权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述顶层互...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴天承，倪立华，郭振强，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：