图像传感器的形成方法技术

一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区；对所述像素区注入第一离子，在所述像素区内形成若干光电区；在所述逻辑区内形成若干有源区，相邻的所述有源区之间具有沟槽；在所述沟槽内形成隔离层，在形成所述隔离层的过程中具有热处理工艺，所述热处理工艺用于修复在注入所述第一离子时对所述衬底造成的晶格损伤。通过先对像素区注入第一离子，在像素区内形成若干光电区；再利用形成隔离层的过程中具有的热处理工艺，热处理工艺用于修复在注入第一离子时对衬底造成的晶格损伤，进而减少白噪声的产生，以提高图像质量。另外，晶格损伤修复所采用的热处理工艺均是常规制程的工艺，能够有效减少制程，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器的形成方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件，由于CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。
[0003]在CMOS图像传感器中最常用的Pixel单元包含一个光电二极管PD和四个MOS管，包括转移晶体管TX、复位晶体管RST，源跟随晶体管SF和行选择晶体管RS、以及浮动扩散区FD，可以实现对光电二极管PD的选中、复位、信号输出、信号放大和读出的控制。原理为当光线照射光电二极管PD时，光电二极管PD中就会产生光生载流子的积累，然后通过外部控制电路打开转移晶体管TX，光生载流子就从光电二极管PD流到浮动扩散区FD，浮动扩散区FD既是转移晶体管TX的漏极，又是PN结电容，浮动扩散区FD将光生载流子转变为电压信号输出。
[0004]然而，现有技术的CMOS图像传感器在形成过程中仍存在诸多问题。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区；对所述像素区注入第一离子，在所述像素区内形成若干光电区；在所述逻辑区内形成若干有源区，相邻的所述有源区之间具有沟槽；在所述沟槽内形成隔离层，在形成所述隔离层的过程中具有热处理工艺，所述热处理工艺用于修复在注入所述第一离子时对所述衬底造成的晶格损伤。2.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的方法包括：在所述沟槽内和所述有源区上形成隔离材料膜；对所述隔离材料膜进行第一退火处理；在所述第一退火处理之后，对所述隔离材料膜进行平坦化处理，形成初始隔离层；对所述初始隔离层进行第二退火处理；在所述第二退火处理之后，回刻蚀所述初始隔离层，形成所述隔离层。3.如权利要求2所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度范围为：950摄氏度～1150摄氏度。4.如权利要求2所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二退火处理的温度范围为：800摄氏度～1000摄氏度。5.如权利要求2所述图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成隔离材料膜之前，还包括：采用高温炉管工艺在所述沟槽的侧壁和底部表面形成修复层。6.如权利要求5所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述高温炉管工艺的温度范围为：1000摄氏度～1200摄氏度。7.如权利要求5所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述修复层的材料包括：氧化硅。8.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述像素区内形成光电区之前，还包括：在所述衬底表面形成保护层。9.如权利要求8所述图像...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金鹏，张栋，郑晓辉，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：