半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件，包括设置于所述基板表面内并延伸至所述基板内部的接触孔；覆盖所述接触孔内壁和所述基板上表面的硅晶种层；覆盖所述硅晶种层远离所述基板的表面的第一磷掺杂硅层；覆盖所述第一磷掺杂硅层远离所述硅晶种层的表面的第二磷掺杂硅层；其中，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量不同于所述第一磷掺杂硅层的磷掺杂量；所述硅晶种层、所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的总厚度大于或等于所述接触孔的深度；在所述接触孔位置处，所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的界面处形成有至少一个空洞。空洞位于第一磷掺杂硅层和第二磷掺杂硅层的界面处，使得在上述膜层图案化过程中，不会对上面的膜层产生影响。生影响。生影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory，DRAM)的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于具备凹入式栅极结构的动态随机存取存储器而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的动态随机存取存储器。
[0003]一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM是由数目庞大的存储单元(memory ce11)聚集形成一阵列区，用来存储数据，而每一存储单元可由一晶体管元件与一电荷贮存装置串联组成，以接收来自于字符线(word line，WL)及位线(bit line，BL)的电压信号。如图1和2所示，现有的DRAM半导体器件包括基板101、有源图案1011、隔离图案102、沟槽栅结构103(括栅极绝缘层1031、栅极1032和第二层间绝缘层1033)、第一层间绝缘层104、接触孔105、位线插塞(包括晶种层1061和半导体层1062本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；设置于所述基板表面内并延伸至所述基板内部的接触孔；至少覆盖部分所述接触孔内壁和部分所述基板上表面的硅晶种层；覆盖所述硅晶种层远离所述基板的表面的第一磷掺杂硅层；覆盖所述第一磷掺杂硅层远离所述硅晶种层的表面的第二磷掺杂硅层；其中，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量不同于所述第一磷掺杂硅层的磷掺杂量；所述硅晶种层、所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的总厚度大于或等于所述接触孔的深度；在所述接触孔位置处，所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的界面处形成有至少一个空洞。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶长福，蔡亚萤，吕佐文，陈旋旋，上官明沁，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：