一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置，该方法包括：采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据；在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态；对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，采集击穿时的故障运行数据；将所述正常运行数据与所述故障运行数据进行对比分析，生成CVT电容单元击穿缺陷试验结果。本发明专利技术提供的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，能够模拟运行电压下CVT电容单元击穿的瞬间，并通过示波器及时采集CVT故障信息，以为后续的CVT故障分析提供条件，有利于提高电网设备的使用寿命和维护电网系统的稳定运行。行。行。

【技术实现步骤摘要】
一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置


[0001]本专利技术涉及CVT故障分析
，尤其涉及一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置。

技术介绍

[0002]CVT，即电容式电压互感器，凭借其自身的优选性在110kV及以上的电力系统中得到了广泛应用。CVT的稳定运行关乎整个电网系统的安全，一旦CVT发生故障或者缺陷，就可能导致电压测量不准确，引起保护误动等后果，进而给电网造成重大的经济损失。
[0003]为实现CVT缺陷的实时监测及故障预警，现有的CVT电容单元击穿缺陷的识别方法主要有两种：第一种是停电预试测量CVT电容量，当电容量的偏差达到一定范围则认为CVT电容单元击穿。但是CVT的停电预试一般3
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6年才能进行一次，在预试周期内若出现缺陷就无法及时发现，进而会导致设备故障停运等严重后果。第二种则是等到CVT电容单元击穿到一定程度导致电压偏差较大，后台报警后再进行原因排查。然而，当电压偏差较大时往往已经击穿很多个电容单元，而当电容单元击穿达到一定数量时，容易导致CVT的电容分压器发生崩溃式的击穿，同样会引发设备故障和系统停运的后果。
[0004]由此可见，这两种CVT电容单元击穿缺陷的识别方法均不能及时发现CVT缺陷，而针对导致CVT故障的运行数据也无法有效提取，因此也无法为分析导致CVT缺陷的根本原因提供事实依据。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置，以解决现有的CVT电容单元击穿缺陷的识别方法不能及时发现CVT缺陷和提取故障信息，进而导致缺陷发展最终引发设备故障，使电网系统无法稳定运行的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法，包括：
[0007]采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据；
[0008]在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态；
[0009]对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，采集击穿时的故障运行数据；
[0010]将所述正常运行数据与所述故障运行数据进行对比分析，生成CVT电容单元击穿缺陷试验结果。
[0011]进一步，作为优选地，所述采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据，包括：
[0012]采集待测CVT在额定电压范围以内工作的一次电压波形、二次绕组电压波形以及末屏电流波形。
[0013]进一步，作为优选地，所述在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，包括：
[0014]将控制开关分为两组分别设置在电容分压器之间，用于分别模拟电容分压器击穿缺陷，其中，每组设有至少一个控制开关，且两组中的控制开关数量不相等。
[0015]进一步，作为优选地，所述使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态，包括：
[0016]在待模拟击穿电容的电极处设置弹性导体，并在所述弹性导体之间设置绝缘体。
[0017]进一步，作为优选地，所述对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，包括：
[0018]在待测CVT的高压端施加运行电压；
[0019]通过绝缘件将弹性导体之间的绝缘体逐步拉出，使得所述弹性导体相互接触，以使所述待模拟击穿电容依次发生击穿。
[0020]进一步，作为优选地，所述弹性导体包括金属弹簧片，所述绝缘体包括绝缘片，所述绝缘件包括绝缘绳。
[0021]进一步，作为优选地，所述CVT电容单元击穿缺陷试验方法还包括：利用示波器采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据以及待模拟击穿电容击穿时待测CVT的故障运行数据。
[0022]本专利技术还提供了一种CVT电容单元击穿缺陷试验装置，包括：
[0023]待测CVT、控制开关及示波器；
[0024]所述待测CVT的电容分压器之间设置多个控制开关；
[0025]所述示波器用于采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据以及待模拟击穿电容击穿时待测CVT的故障运行数据。
[0026]进一步，作为优选地，所述待模拟击穿电容的电极处设有弹性导体，所述弹性导体之间设有绝缘体，
[0027]所述绝缘体用于使所述待模拟击穿电容的电极在试验前处于断路状态；
[0028]所述弹性导体用于使所述待模拟击穿电容从所述断路状态变为导通状态。
[0029]进一步，作为优选地，所述正常运行数据包括：待测CVT在额定电压下的一次电压波形、二次绕组电压波形以及末屏电流波形。
[0030]相对于现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0031]本专利技术公开了一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置，该方法包括：采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据；在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态；对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，采集击穿时的故障运行数据；将所述正常运行数据与所述故障运行数据进行对比分析，生成CVT电容单元击穿缺陷试验结果。
[0032]本专利技术提供的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，能够模拟运行电压下CVT电容单元击穿的瞬间，通过示波器及时采集CVT故障信息，以为后续的CVT故障分析提供条件，有利于提高电网设备的使用寿命和维护电网系统的稳定运行。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本专利技术某一实施例提供的CVT电容单元击穿缺陷试验方法的流程示意图；
[0035]图2是本专利技术某一实施例提供的CVT电容单元击穿缺陷试验装置的结构示意图；
[0036]图3是本专利技术某一实施例提供的控制电容单元发生击穿的控制开关的结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]应当理解，文中所使用的步骤编号仅是为了方便描述，不对作为对步骤执行先后顺序的限定。
[0039]应当理解，在本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
[0040]术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0041]术语“和/或”是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，包括：采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据；在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态；对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，采集击穿时的故障运行数据；将所述正常运行数据与所述故障运行数据进行对比分析，生成CVT电容单元击穿缺陷试验结果。2.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据，包括：采集待测CVT在额定电压范围以内工作的一次电压波形、二次绕组电压波形以及末屏电流波形。3.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，包括：将控制开关分为两组分别设置在电容分压器之间，用于分别模拟电容分压器击穿缺陷，其中，每组设有至少一个控制开关，且两组中的控制开关数量不相等。4.根据权利要求1所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态，包括：在待模拟击穿电容的电极处设置弹性导体，并在所述弹性导体之间设置绝缘体。5.根据权利要求4所述的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，其特征在于，所述对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，包括：在待测CV...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒想，周原，杨贤，马志钦，林春耀，蔡玲珑，靳宇晖，周丹，姜烁，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：