干膜抗蚀剂及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种干膜抗蚀剂及其制备方法。干膜抗蚀剂包括支撑层和抗蚀剂层，形成抗蚀剂层的原料包括碱溶性树脂、可光聚合单体和光引发剂，其特征在于，抗蚀剂层为预交联层，抗蚀剂层的交联度为2％～15％。将抗蚀剂层设置为预交联层，即在收卷之前其为经过部分交联的结构，经过预交联后抗蚀剂层的流动性得到了有效控制，且通过对抗蚀剂层交联度的控制又保证了其具有足够的追随性。同时，上述交联度为2％～15％的抗蚀剂层，其具有足够的解析度和显影性，不影响其后续图形化使用要求。不影响其后续图形化使用要求。

【技术实现步骤摘要】
干膜抗蚀剂及其制备方法


[0001]本专利技术涉及抗蚀
，具体而言，涉及一种干膜抗蚀剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]在印刷电路板、引线框架、太阳能电池、导体封装、BGA(Ball Grid Array)、CPS(Chip Size Package)封装中，干膜抗蚀剂被广泛用作图形转移的关键材料。例如，在制造印刷电路板时，首先，在铜基板上贴合干膜抗蚀剂，用具有一定图案的掩模遮盖于干膜抗蚀剂，进行图形曝光，或者以激光直描的方式直接进行曝光。然后，利用弱碱性水溶液作为显影液去除未曝光部位，再实施蚀刻或电镀处理而形成图形，最后用去除剂剥离去除干膜固化部分，从而实现图形转移。
[0003]干膜抗蚀剂一般由支撑膜(PET)、抗蚀剂层、覆盖膜(PE)三层结构组成，通常以干膜卷的形式出售。中间的抗蚀剂层的组分主要包含碱溶性树脂、可光聚合单体、光引发剂、助剂等。因此当干膜以卷的形式来运输储存时，中间的抗蚀剂层在压力的作用下会有一定的流动性，即抗蚀剂层产生局部流动而造成厚度不均匀，并向干膜卷的两端溢出，即产生流胶(或者说溢胶)，从而影响干膜的正常使用，导致其保质期缩短，目前市场上已分切好的干膜卷的保质期一般只能保持在1～3个月左右。
[0004]申请公布号为的CN108227379A专利申请中，主要通过加入纤维素来提高光聚合组分的粘度来改善流胶，同时为了保持干膜的柔韧性和粘附力，又加入适量的增塑剂来调节，但是纤维素的加入会影响解析度及感光速度，显影性等性能。授权公告号为CN101196686B的专利中，通过调节碱溶性树脂的合成组分，提供一种显影后分辨率良好，凝聚物产生减少，具有良好的溢胶性和追随性的干膜抗蚀剂。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种干膜抗蚀剂及其制备方法，以解决现有技术中的干膜抗蚀剂中抗蚀剂层容易流胶的问题。
[0006]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种干膜抗蚀剂，干膜抗蚀剂包括支撑层和抗蚀剂层，形成抗蚀剂层的原料包括碱溶性树脂、可光聚合单体和光引发剂，其特征在于，抗蚀剂层为预交联层，抗蚀剂层的交联度为2％～15％。
[0007]进一步地，上述抗蚀剂层的交联度为3％～10％；优选碱溶性树脂的酸值范围为90～200mg KOH/g。
[0008]进一步地，上述碱溶性树脂的重均分子量为50000～200000，优选为70000～150000。
[0009]进一步地，上述碱溶性树脂由一种或多种含羧基的第一共聚单元单体与一种或多种不含羧基基团的第二共聚单元单体共聚，第二共聚单元单体选自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙
烯酸
‑2‑
羟基乙酯、(甲基)丙烯酸
‑2‑
羟基丙酯、(甲基)丙烯酸
‑4‑
羟基丁酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N,N
‑
二甲基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N
‑
二乙基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N
‑
二甲基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N
‑
二乙基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N
‑
二甲基(甲基)丙烯酸丁酯、N,N
‑
二乙基(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酰胺、N
‑
羟甲基
‑
丙烯酰胺、N
‑
丁氧基甲基
‑
丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸苄酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(烷氧基化)壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯中的任意一种或多种，优选第一共聚单元单体选自衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸半酯、顺丁烯二酸、反丁烯二酸、乙烯基乙酸及其酸酐中的任意一种或多种。
[0010]进一步地，上述可光聚合单体选自丙烯酸月桂酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸四氢呋喃甲酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(丙氧化)双酚A二(甲基)丙烯酸酯、聚乙(丙)二醇二丙烯酸酯、乙氧化(丙氧化)新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化(丙氧化)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三(2
‑
羟乙基)异氰尿酸三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯中的任意一种或多种。
[0011]进一步地，上述光引发剂选自安息香醚、二苯甲酮及其衍生物、硫杂蒽酮类化合物、蒽醌及其衍生物、噻吨酮类化合物、六芳基双咪唑类化合物、吖啶类化合物中的一种或多种按照任意配比的组合，优选光引发剂选自安息香醚、二苯甲酮、硫杂蒽酮、蒽醌、2
‑
苄基
‑2‑
二甲基氨基
‑1‑
(4
‑
吗啉基苯基)
‑
丁酮、2
‑
乙基蒽醌、菲醌、2
‑
叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2
‑
苯并蒽醌、2,3
‑
苯并蒽醌、2,3
‑
二苯基蒽醌、1
‑
氯蒽醌、2
‑
甲基蒽醌、1,4
‑
萘醌、9,10
‑
菲醌、2,3
‑
二甲基蒽醌、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香苯基醚、苯偶酰二甲基缩酮、苯偶姻双甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙基醚、苯偶姻苯基醚、噻吨酮、2
‑
氯噻吨酮、4
‑
氯噻吨酮、2
‑
异丙基噻吨酮、4
‑
异丙基噻吨酮、二苯甲酮、4,4
’‑
双(二甲氨基)二苯甲酮(米氏酮)、4,4
’‑
双(二乙氨基)二苯甲酮、异丙基硫杂蒽酮、2
‑
氯硫杂蒽酮、2,4
‑
二乙基硫杂蒽酮、2
‑
叔丁基蒽醌、N,N
‑
二甲基苯甲酸乙酯、苯甲酸二甲氨基乙酯、N,N
‑
二甲基乙醇胺、2,2
’‑
双(2
‑
氯苯基)
‑
4,4
’
,5,5
’‑
四苯基
‑
1,2
’‑
二咪唑、2,2
’‑
双(2
‑
溴
‑5‑
甲氧基苯)
‑
4,4
’
,5,5
’‑
四苯基二咪唑、2,2
’‑
双(2,4
‑
二氯苯基)
‑
4,4
’
,5,5
’‑
四苯基二咪唑、9
‑
苯基吖啶、9
‑
对苯基吖啶、9
‑
间甲苯基吖啶、9
‑
邻甲苯基吖啶、9
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干膜抗蚀剂，所述干膜抗蚀剂包括支撑层和抗蚀剂层，形成所述抗蚀剂层的原料包括碱溶性树脂、可光聚合单体和光引发剂，其特征在于，所述抗蚀剂层为预交联层，所述抗蚀剂层的交联度为2％～15％。2.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，所述抗蚀剂层的交联度为3％～10％；优选所述碱溶性树脂的酸值范围为90～200mg KOH/g。3.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，所述碱溶性树脂的重均分子量为50000～200000，优选为70000～150000。4.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，所述碱溶性树脂由一种或多种含羧基的第一共聚单元单体与一种或多种不含羧基基团的第二共聚单元单体共聚，所述第二共聚单元单体选自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸
‑2‑
羟基乙酯、(甲基)丙烯酸
‑2‑
羟基丙酯、(甲基)丙烯酸
‑4‑
羟基丁酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N,N
‑
二甲基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N
‑
二乙基(甲基)丙烯酸乙酯、N,N
‑
二甲基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N
‑
二乙基(甲基)丙烯酸丙酯、N,N
‑
二甲基(甲基)丙烯酸丁酯、N,N
‑
二乙基(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酰胺、N
‑
羟甲基
‑
丙烯酰胺、N
‑
丁氧基甲基
‑
丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸苄酯、苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、(烷氧基化)壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯中的任意一种或多种，优选所述第一共聚单元单体选自衣康酸、巴豆酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸半酯、顺丁烯二酸、反丁烯二酸、乙烯基乙酸及其酸酐中的任意一种或多种。5.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，所述可光聚合单体选自丙烯酸月桂酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸四氢呋喃甲酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧化(丙氧化)双酚A二(甲基)丙烯酸酯、聚乙(丙)二醇二丙烯酸酯、乙氧化(丙氧化)新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化(丙氧化)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三(2
‑
羟乙基)异氰尿酸三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯中的任意一种或多种。6.根据权利要求1所述的干膜抗蚀剂，其特征在于，所述光引发剂选自安息香醚、二苯甲酮及其衍生物、硫杂蒽酮类化合物、蒽醌及其衍生物、噻吨酮类化合物、六芳基双咪唑类化合物、吖啶类化合物中的一种或多种按照任意配比的组合，优选所述光引发剂选自安息香醚、二苯甲酮、硫杂蒽酮、蒽醌、2
‑
苄基
‑2‑
二甲基氨基
‑1‑
(4
‑
吗啉基苯基)
‑
丁酮、2
‑
乙基蒽醌、菲醌、2
‑
叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2
‑
苯并蒽醌、2,3
‑
苯并蒽醌、2,3
‑
二苯基蒽醌、1
‑
氯蒽醌、2
‑
甲基蒽醌、1,4
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱薛妍，严晓慧，李伟杰，张浙南，
申请(专利权)人：杭州福斯特电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：