半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、有源区、绝缘结构以及多个第一导线。有源区相互平行且相互分隔地定义在衬底内，各有源区包括有源鳍片以及设置于有源鳍片两侧的有源端部，有源鳍片以及有源端部分别包括不同的材质。绝缘结构设置在衬底内，环绕有源区，绝缘结构包括第一绝缘层以及多个第二绝缘层，其中，第二绝缘层系分别设置于相邻的有源区之间并且被第一绝缘层环绕。多个第一导线，形成在衬底上并横跨有源区。在此设置下，可改善有源区的延伸范围，确保后续形成的存储接触插塞结构可与有源区直接且稳定的接触。构可与有源区直接且稳定的接触。构可与有源区直接且稳定的接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其是涉及一种包括有源区以及绝缘结构的半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体装置微小化以及集成电路的复杂化，组件的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，因此，维持小尺寸半导体组件的效能为目前业界的主要目标。在半导体制作工艺中，多半是在衬底上定义出多个有源区域作为基础，再于所述有源区域上形成所需组件。一般来说，有源区域为利用光刻及蚀刻等制作工艺在衬底上所形成的多个图案，但在尺寸微缩的要求下，有源区域的宽度逐渐缩减，而各个有源区域之间的间距也渐缩小，使得其制作工艺也面临许多限制与挑战，以至于无法满足产品需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术之一目的在于提供一种半导体装置及其形成方法，其有源区包括有源鳍片以及设置于所述有源鳍片两侧且包括不同材质的有源端部。藉此，可改善所述有源区的延伸范围，确保存储接触插塞结构(storage node contact，SNC)可与所述有源区直接且稳定的接触。在此设置下，所述存储接触插塞结构的设置可具有较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；多个有源区，相互平行且相互分隔地定义在所述衬底内，各所述有源区包括有源鳍片以及设置于所述有源鳍片两侧的有源端部，所述有源鳍片以及所述有源端部分别包括不同的材质；绝缘结构，设置在所述衬底内，环绕所述有源区；以及多个第一导线，形成在所述衬底上并横跨所述有源区。2.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，所述有源鳍片以及所述有源端部分别包括不同的粗糙度。3.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，所述有源端部包括一外延材质。4.依据权利要求第3项所述之半导体装置，其特征在于，所述有源端部以及所述有源鳍片之间具有一高度落差。5.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，所述绝缘结构包括第一绝缘层以及多个第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层系分别设置于相邻的所述有源区之间并且被所述第一绝缘层环绕。6.依据权利要求第5项所述之半导体装置，其特征在于，所述多个第一导线设置于所衬底内并与所述有源区交错，所述第一导线同时穿过所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层。7.依据权利要求第1项所述之半导体装置，其特征在于，还包括：多个第二导线，设置于所衬底上并与所述有源区交错，所述第二导线直接接触所述有源鳍片；以及多个插塞，设置于所衬底上并与所述第二导线交替设置，所述插塞同时接触所述有源鳍片以及所述有源端部；以及间隙壁，设置于所衬底上并位于所述第二导线以及所述插塞之间。8.依据权利要求第7项所述之半导体装置，其特征在于，所述插塞设置于所述有源鳍片以及所述有源端部的底部，并具有高度落差。9.依据权利要求第7项所述之半导体装置，其特征在于，还包括：多个触点，设置于所述第二导线下方，所述触点位于相邻的所述有源端部之间。10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；以及在所述衬底内形成多个有源区以及绝缘结构，所述绝缘结构环绕所述有源区，其中，各所述有源区包括有源鳍片以及设置于所述有源鳍片两侧的有源端部，所述有源鳍片以及所述有源端部分别包括不同的材质。11.依据权利要求第10项所述之半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：在所述衬底内形成定义出多个有源单元，所述有源单元相互平行且相互分隔地沿着一方向延伸；形成绝缘层，所述绝缘层环绕并覆盖所有的所述有源单元；于所述绝缘层内形成多个开口，各所述开口分别暴露出各所述有源单元的端部；以及进行一平坦化制作工艺，移除所述有源单元上方的所述绝缘层，使得剩余的所述绝缘层形成所述绝缘结构。
12.依据权利要求第11项所述之半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：于所述平坦化制作工艺之前进行选择性外延制作工艺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：