一种用于半导体器件的接触孔的制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域,公开了一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层；S2：在第一蚀刻停止层上制作氧化层，第一蚀刻停止层的蚀刻率小于氧化层的蚀刻率；S3：蚀刻氧化层，制作第一接触孔，第一接触孔的蚀刻终点在第一蚀刻停止层内；S4：在第一接触孔内蚀刻第一蚀刻停止层，制作第二接触孔，第二接触孔的底部延伸至交互层，在实际使用时，通过第一蚀刻停止层，可以让步骤S3中的刻蚀终点都在第一蚀刻停止层上，然后在第一蚀刻停止层上进行二次刻蚀制作完整的接触孔，进而确保不同位置的接触孔不会出现过刻蚀或者刻蚀不足的情况，而且所有接触孔的差异性变低、性能均一性较好。性较好。性较好。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体器件的接触孔的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种用于半导体器件的接触孔的制作方法。

技术介绍

[0002]在集成电路的制作工艺中，通过曝光、显影和刻蚀等工艺将电路图像转移到晶圆上，当晶圆上绘制完电路图后，会在晶圆上制作金属互连层，通过在金属互连层上制作接触孔以及在接触孔上制作金属电极来实现晶圆上的电子器件的互联和晶圆上的电路与外围信号的交互。
[0003]随着晶圆上的集成电路的集成度越来越高，晶圆上的电子元器件的数目也越来越多，相应地，对接触孔的制作工艺要求也更加严格。在FDSOI晶体管的接触孔的制造工艺中，常通过以下两种方式来制作接触孔，方式一：同时蚀刻FDSOI晶体管上的不同位置的接触孔，在蚀刻接触孔时控制接触孔在不同位置的蚀刻量，以达到接触孔完全打开，由于不同接触孔的深度不同，该方式在实际使用时存在的缺陷是一方面可能存在蚀刻不足的问题，导致电子器件的连接性能不良，另一方面在过多蚀刻后会破坏接触孔下方的层间结构，导致在接触孔内制作的金属电极的电阻上升，进而影响产品的整体性能；方式二：分两次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层；S2：在第一蚀刻停止层上制作氧化层，所述第一蚀刻停止层的蚀刻率低于所述氧化层的蚀刻率；S3：蚀刻所述氧化层，制作第一接触孔，所述第一接触孔的蚀刻终点在所述第一蚀刻停止层内；S4：在所述第一接触孔内蚀刻所述第一蚀刻停止层，制作第二接触孔，所述第二接触孔的底部延伸至所述交互层上。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，当衬底上有多个交互层时，在每个交互层上分别制作第一蚀刻停止层，在不同交互层上的第一蚀刻停止层上制作的氧化层的顶面在同一水平位置。3.根据权利要求2所述的一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，其特征在于，当在不同交互层上的第一蚀刻停止层上制作的氧化层的最大厚度为D1、最小厚度为D2时，如果第一蚀刻停止层的蚀刻速率是V1，则步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛永吉，叶甜春，朱纪军，罗军，李彬鸿，赵杰，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：