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本发明涉及半导体技术领域,公开了一种用于半导体器件的接触孔的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底上的交互层上制作第一蚀刻停止层；S2：在第一蚀刻停止层上制作氧化层，第一蚀刻停止层的蚀刻率小于氧化层的蚀刻率；S3：蚀刻氧化层，制作第一接触孔，...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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