【技术实现步骤摘要】
一种半导体版图的监控方法及系统
[0001]本专利技术涉及半导体制造
,特别是涉及一种半导体版图的监控方法及系统。
技术介绍
[0002]目前,在集成电路制造中,为了将集成电路的图案顺利的转移到晶圆上,必须先将该电路版图设计成一光罩图案,然后再将光罩图案自光罩表面,通过曝光机台转移到该晶圆上。然而,图案能否准确的转移至晶圆上是有多方面的因素决定的,例如光刻版版图中的图形设计、光刻胶的分辨率大小、曝光/显影的条件设定等。由于上述多个因素均对最终在晶圆的光刻胶上形成的图案有影响,实际光刻工艺中,难以保证每一次的光刻工艺均能准确的转移图案。而若在光刻胶上形成的图案不正常的情况下进入了后续的刻蚀、离子注入等工艺,则会导致晶圆因无法返工而报废。所以,在生产的过程中,必须对版图的金属层数据信息进行监测,以确保及时发现光刻中存在不能满足要求的缺陷,防止晶圆的报废。
技术实现思路
[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种半导体版图的监控方法及系统,用于在生产的过程中,检测版图中金属层的数据信 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体版图的监控方法,其特征在于,包括以下步骤:建立一个监控半导体版图的数据模型,所述数据模型包括多个金属层的数据信息,且每个所述金属层的数据信息包括第一类型金属层信息和第二类型金属层信息;输入版图数据,并依据所述版图数据设定所需监控图形的层数信息;根据所述版图数据,并结合所述第二类型金属层信息,获取所述监控图形的最高金属层的数据信息;根据所述监控图形最高金属层的数据信息,并结合所述第一类型金属层信息,获取所述监控图形的其他金属层的数据信息;以及对所述最高金属层和所述其他金属层进行修正,获取所述监控图形的数据信息。2.根据权利要求1所述的半导体版图的监控方法,其特征在于,所述第一类型金属层信息包括:第一监控图形,所述第一监控图形内设置有多个第一矩形,且多个所述第一矩形平行设置;第二监控图形,所述第二监控图形设置在所述第一监控图形的一侧,且所述第二监控图形垂直于所述第一监控图形,所述第二监控图形内设置有多个第二矩形,且多个所述第二矩形平行设置。3.根据权利要求2所述的半导体版图的监控方法,其特征在于,所述第一类型金属层信息还包括第一线间距,所述第一线间距为相邻两个所述第一矩形或第二矩形之间的距离。4.根据权利要求3所述的半导体版图的监控方法,其特征在于,所述第一类型金属层信息还包括第一线宽,所述第一线宽为所述第一矩形或第二矩形的线宽。5.根据权利要求4所述的半导体版图的监控方法,其特征在于,获取所述监控图形的其他金属层数据信息的数据信息,通过以下步骤:根据所述最高金属层的数据信息,选择小于所述最高层数的层数信息为所述其他金属层的层数信息;根据所述第一线宽数据信息和所述第一线间距数据信息,消除所述其他金属层中的第一类型金属层信息,并依据所述其他金属层的第二类型金属层信息获取其他金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁美平,蔡承佑,刘苑,
申请(专利权)人:合肥晶合集成电路股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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