用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法技术

本发明专利技术提供了一种用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法。利用衬底结构中第一材料层相对于第二材料层具有较低的电阻率，从而在产生有微刻蚀缺陷而提前暴露出第一材料层时，即能够使得衬底结构的电阻提前出现突变而被及时的检测到，如此，即可以及时有效的检测出当前刻蚀工艺中是否存在微刻蚀现象而导致微刻蚀缺陷，并且还可以进一步的判断出对应采用的刻蚀设备是否存在异常。的刻蚀设备是否存在异常。的刻蚀设备是否存在异常。

【技术实现步骤摘要】
用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法。

技术介绍

[0002]在半导体加工中，通常会利用刻蚀设备执行刻蚀工艺，以实现对膜层的图形化过程，因此在刻蚀设备出现异常时将会直接或间接的导致刻蚀工艺出现偏差，进而影响其刻蚀精度。为此，即需要对刻蚀工艺或者刻蚀设备进行监控，以确保刻蚀稳定性。
[0003]目前，一般会在加工衬底上设置对应的测试结构（test key）或者通过检视加工衬底的方式进行监控，然而这些监控方法仅能够检测出由刻蚀产生的较大缺陷，而难以检测到微刻蚀缺陷。例如，在利用刻蚀工艺形成凹槽时，于凹槽的底角位置容易因微刻蚀现象而产生有微沟槽（micro trench），该微沟槽难以在当前制程中被及时检测到，而直到产品的后制程中才会被发现（例如，直到产品的最终良率测试时才能够被发现），此时，大量的加工衬底已经在不稳定的刻蚀制程中加工完成，其影响范围较大。尤其是，当刻蚀形成的凹槽的设计尺寸较大时，其微刻蚀现象更严重，甚至会与前层金属短路，从而直接导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括由下至上堆叠设置的第一材料层和第二材料层，所述第二材料层的电阻率高于所述第一材料层的电阻率；刻蚀所述第二材料层至至少第一时间点，以在所述第二材料层中形成凹槽；以及，判断在第一时间点之前是否有检测到衬底结构的电阻发生突变，以推断出是否出现微刻蚀缺陷。2.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，所述第二材料层为绝缘材料层，所述第一材料层为导电材料层。3.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，所述第二材料层中对应在凹槽内的部分在第二时间点被完全刻蚀去除，所述第一时间点早于所述第二时间点。4.如权利要求1所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，所述第一时间点为：所述第二材料层中对应在凹槽内的部分被完全刻蚀去除时所对应的时间点。5.如权利要求3或4所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，判断在第一时间点之前是否检测到衬底结构的电阻发生突变，以推断出是否出现微刻蚀缺陷的方法包括：在第一时间点之前检测到了电阻发生突变，则判断出所述凹槽的底角位置出现微刻蚀缺陷且暴露出所述第一材料层。6.如权利要求3所述的微刻蚀风险的监控方法，其特征在于，在第一时间点之前未检测到衬底结构的电阻发生突变，则继续刻蚀所述第二材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖军，张志敏，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：