一种高对称性双向TVS二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种高对称性双向TVS二极管及其制备方法，属于半导体保护器件领域。提供N型衬底，在其表面依次形成P型外延层和氧化层；通过离子注入及扩散退火形成N+注入区，并去除该过程中受损的氧化层；通过深槽刻蚀于N型衬底上形成Trench沟槽并穿通P型外延层，其内完全填充具有绝缘特性的LPTEOS；在LPTEOS上开孔，形成欧姆接触区；在正面淀积金属形成正面电极，在正面电极表面淀积一层钝化层，在钝化层上开孔露出金属引线孔，便于后续测试及封装打线；在背面淀积多层金属形成背面电极。直接在P型外延层上形成N+注入区，达到纵向NPN的双向TVS结构，通过Trench沟槽隔离取代传统的PN结隔离，减少一次热处理过程，同时增加芯片的有源区面积。源区面积。源区面积。

【技术实现步骤摘要】
一种高对称性双向TVS二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体保护器件
，特别涉及一种高对称性双向TVS二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]TVS（Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器）是一种钳位过压保护器件，TVS在电路板上与被保护电路并联，能够在很短的时间内将浪涌电压固定在一个比较低的电压水平，使后级电路免受静电放电或瞬态浪涌电压的冲击，避免电路损坏。
[0003]TVS器件主要应用在各类接口电路当中，如手机、平板、电视机、电脑主机中均有大量TVS保护器件，TVS器件与被保护芯片为并联关系，在正常工作条件下，TVS呈现高阻抗状态。当有静电释放或浪涌电压从电路IO端进入后，会触发TVS器件优先导通，电流经过TVS器件到地释放，将电压钳位在一个较低的水平，从而有效保护了后级电路。随着现今科技的快速发展，集成电路不断向低电压、低功耗、高速传输的方向发展，对相应的TVS保护器件也提出了更高的性能要求，要求TVS有足够高的耐受能力，和尽可能低的钳位电压。
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技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高对称性双向TVS二极管，其特征在于，包括：N型衬底；P型外延层，形成于所述N型衬底表面；N+注入区，形成于所述P型外延层表面；Trench沟槽，穿通所述P型外延层，其内完全填充绝缘特性的LPTEOS；正面电极，通过在所述N+注入区表面淀积金属形成；钝化层，位于所述正面电极表面，并且所述钝化层上设有开孔；背面电极，形成于所述N型衬底背面。2.如权利要求7所述的高对称性双向TVS二极管，其特征在于，所述P型外延层包括位于所述N型衬底上的第一P型外延层、以及位于所述第一P型外延层上的第二P型外延层，所述第一P型外延层的厚度为所述第二P型外延层的1～5倍。3.如权利要求2所述的高对称性双向TVS二极管，其特征在于，所述第一P型外延层和所述第二P型外延层均为P+型掺杂，且所述第一P型外延层的掺杂浓度高于所述第二P型外延层的掺杂浓度；所述第一P型外延层的掺杂浓度为2E18cm
‑3～7E18cm
‑3，所述第二P型外延层的掺杂浓度为3E17cm
‑3～1E18cm
‑3。4.一种高对称性双向TVS二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供N型衬底，在其表面依次形成P型外延层和氧化层；通过离子注入及扩散退火形成N+注入区，并去除该过程中受损的氧化层；通过深槽刻蚀于N型衬底上形成Trench沟槽并穿通P型外延层，其内完全填充具有绝缘特性的LPTEOS；在LPTEOS上开孔，形成欧姆接触区；在正面淀积金属形成正面电极，在正面电极表面淀积一层钝化层，在钝化层上开孔露出金属引线孔，便于后续测试及封装打线；在背面淀积多层金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，胡高康，彭时秋，肖步文，贺琪，张世权，张继，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：