本发明专利技术涉及一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法，其中碲镉汞芯片退火装置包括：底座，底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，第一支撑臂、第二支撑臂以及底座形成了容纳腔；盖板，盖板设置在第一支撑臂和第二支撑臂远离底座的一侧，分别与第一支撑臂和第二支撑臂连接，用于覆盖容纳腔；放置盘，放置盘设置在远离底座一侧，放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片，通过在容纳腔上设置盖板与放置盘，并通过放置盘来放置待退火的碲镉汞芯片，进而使得退火炉膛内的温度可以均匀的传导到放置盘上，进而使得放置盘上的待退火碲镉汞芯片能够均匀散热，避免了碲镉汞芯片不同位置的温度有一定的差异，进而影响碲镉汞芯片的退火效果的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法
[0001]本专利技术涉及红外探测器器件
，尤其涉及一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法。
技术介绍
[0002]目前，红外探测器器件正向着大面阵、双多色的第三代焦平面探测器领域发展。碲镉汞材料由于其接近100％的量子效率及从近红外到甚长波全波段的极广的应用范围，在该领域的应用中占据绝对的市场份额。随着其在航天、气象观测等领域应用的不断扩展，对于其性能的要求也在不断地提高。因此，在碲镉汞红外探测器的制备过程中，碲镉汞材料退火是碲镉汞红外探测器器件工艺中十分重要的一步，适当的退火温度结合退火时间有助于钝化层碲化镉与碲镉汞之间形成良好的互扩散层，消除表面悬挂键，减少表面复合中心，降低探测器芯片表面复合电流，从而降低探测器芯片的暗电流。
[0003]在碲镉汞转P型退火中，材料上的温度分布对退火后材料的性能有很大影响，传统的方法是将碲镉汞芯片放在石英夹具上后放入退火炉中退火，由于石英管中心和边缘温度存在一定差异，会使得处于石英管不同位置的碲镉汞芯片的实际温度略有不同，当碲镉汞芯片面积较大时会产生较大的影响，影响碲镉汞芯片的退火效果，因此，如何更好的对碲镉汞材料进行退火成了亟需解决的问题。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本专利技术提供了一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种碲镉汞芯片退火装置，所述碲镉汞芯片退火装置包括：底座，所述底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，所述第一支撑臂、所述第二支撑臂以及所述底座形成了容纳腔；盖板，所述盖板设置在所述第一支撑臂和所述第二支撑臂远离所述底座的一侧，分别与所述第一支撑臂和所述第二支撑臂连接，用于覆盖所述容纳腔；放置盘，所述放置盘设置在所述远离所述底座一侧，所述放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片。
[0006]可选地，所述放置盘的材质包括以下之一：石墨、碳纳米管；所述底座的材质包括以下之一：石英，石墨。
[0007]可选地，所述放置盘远离所述盖板一侧的表面上设置有至少一个放置框，所述放置框的尺寸与所述待退火碲镉汞芯片的尺寸相匹配，用于放置所述待退火碲镉汞芯片。
[0008]可选地，所述放置盘远离所述盖板一侧设置有至少一组阻挡件，所述阻挡件的形状与所述待退火碲镉汞芯片的形状相匹配，用于阻挡所述待退火碲镉汞芯片移动。
[0009]可选地，所述第一支撑臂与所述第二支撑臂的高度在远离所述底座一侧等高。
[0010]第二方面，本专利技术提供了一种。碲镉汞芯片退火方法，所述碲镉汞芯片退火方法包括：将待退火碲镉汞芯片转移到如上任一项所述的碲镉汞芯片退火装置的放置盘中；设置退火温度和退火时间，根据所述退火温度和退火时间对所述待退火碲镉汞芯片进行退火。
[0011]可选地，接收发布指令，设置退火温度和时间，根据所述退火温度和时间对所述待退火碲镉汞芯片进行退火之后，所述方法还包括：在对所述待退火碲镉汞芯片进行退火达到退火时间时，停止对所述待退火碲镉汞芯片进行退火。
[0012]本专利技术实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0013]本专利技术实施例提供的碲镉汞芯片退火装置，包括：底座，底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，第一支撑臂、第二支撑臂以及底座形成了容纳腔；盖板，盖板设置在第一支撑臂和第二支撑臂远离底座的一侧，分别与第一支撑臂和第二支撑臂连接，用于覆盖容纳腔；放置盘，放置盘设置在远离底座一侧，放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片，通过在容纳腔上设置盖板与放置盘，并通过放置盘来放置待退火的碲镉汞芯片，进而使得退火炉膛内的温度可以均匀的传导到放置盘上，进而使得放置盘上的待退火碲镉汞芯片能够均匀散热，避免了碲镉汞芯片不同位置的温度有一定的差异，进而影响碲镉汞芯片的退火效果的问题。
附图说明
[0014]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术实施例提供的一种碲镉汞芯片退火设备示意图的基本流程示意图；
[0017]图2为本专利技术实施例提供的一种碲镉汞芯片退火装置的基本结构示意图；
[0018]图3为本专利技术实施例提供的一种可选的放置盘的基本结构示意图；
[0019]图4为本专利技术实施例提供的再一种可选的放置盘的基本结构示意图；
[0020]图5为本专利技术实施例提供的一种碲镉汞芯片退火方法的基本流程示意图。
具体实施方式
[0021]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]碲镉汞芯片的退火是在石英管中通入氮气进行的，如图1所示，传统的退火方法是将碲镉汞芯片放置在石英夹具12中，之后将石英夹具12放在石英管的合适位置处，由于石英管11中心和边缘位置的温度存在一定差异，就会导致碲镉汞芯片不同位置的温度有一定的差异，当碲镉汞芯片尺寸较大时影响更加明显，进而影响碲镉汞芯片的退火效果；
[0023]为了解决相关技术中，通过石英夹具与石英管对碲镉汞芯片退火，碲镉汞芯片退火效果差的问题，本实施例提供一种碲镉汞芯片退火装置，如图2所示，其包括但不限于：底座，所述底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，所述第一支撑臂、所述第二支撑臂以及所述底座形成了容纳腔；盖板，所述盖板设置在所述第一支撑臂和所述第二支撑臂远离所述底座的一侧，分别与所述第一支撑臂和所述第二支撑臂连接，用于覆盖所述容纳腔；放置
盘，所述放置盘设置在所述远离所述底座一侧，所述放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片。
[0024]需要理解的是，所述第一支撑臂、所述第二支撑臂以及所述底座形成了容纳腔中，第一支撑臂与所述第二支撑臂为所述容纳腔的侧壁，所述底座为容纳腔的底壁，退火时，首先热量传递到盖板上，然后盖板传递到放置盘上，其中，盖板与放置盘贴合，一些示例中，退火后将碲镉汞芯片转为P型。
[0025]在本实施例的一些示例中，所述放置盘的材质包括但不限于以下之一：石墨、碳纳米管、碳黑、碳纳米纤维等能够均匀导致的材料；例如，放置盘为石墨盘，其中，石墨为一种导热散热材料，沿两个方均匀导热，导热系数在水平方向高达1500W/M
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K，进而将盖板上的热量均匀的分散到石墨盘上各个待退火碲镉汞芯片上，进而提升碲镉汞芯片退火时的均匀性，进而提高探测器的均匀性，提升探测器的性能本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述碲镉汞芯片退火装置包括：底座，所述底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，所述第一支撑臂、所述第二支撑臂以及所述底座形成了容纳腔；盖板，所述盖板设置在所述第一支撑臂和所述第二支撑臂远离所述底座的一侧，分别与所述第一支撑臂和所述第二支撑臂连接，用于覆盖所述容纳腔；放置盘，所述放置盘设置在所述远离所述底座一侧，所述放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片。2.根据权利要求1所述的碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述放置盘的材质包括以下之一：石墨、碳纳米管；所述底座的材质包括以下之一：石英，石墨。3.根据权利要求2所述的碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述放置盘远离所述盖板一侧的表面上设置有至少一个放置框，所述放置框的尺寸与所述待退火碲镉汞芯片的尺寸相匹配，用于放置所述待退火碲镉汞芯片。4.根据权利要求2所述的碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述放置盘远离所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，祁娇娇，吴卿，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：
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