一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法，其中碲镉汞芯片退火装置包括：底座，底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，第一支撑臂、第二支撑臂以及底座形成了容纳腔；盖板，盖板设置在第一支撑臂和第二支撑臂远离底座的一侧，分别与第一支撑臂和第二支撑臂连接，用于覆盖容纳腔；放置盘，放置盘设置在远离底座一侧，放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片，通过在容纳腔上设置盖板与放置盘，并通过放置盘来放置待退火的碲镉汞芯片，进而使得退火炉膛内的温度可以均匀的传导到放置盘上，进而使得放置盘上的待退火碲镉汞芯片能够均匀散热，避免了碲镉汞芯片不同位置的温度有一定的差异，进而影响碲镉汞芯片的退火效果的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法


[0001]本专利技术涉及红外探测器器件
，尤其涉及一种碲镉汞芯片退火装置、碲镉汞芯片退火方法。

技术介绍

[0002]目前，红外探测器器件正向着大面阵、双多色的第三代焦平面探测器领域发展。碲镉汞材料由于其接近100％的量子效率及从近红外到甚长波全波段的极广的应用范围，在该领域的应用中占据绝对的市场份额。随着其在航天、气象观测等领域应用的不断扩展，对于其性能的要求也在不断地提高。因此，在碲镉汞红外探测器的制备过程中，碲镉汞材料退火是碲镉汞红外探测器器件工艺中十分重要的一步，适当的退火温度结合退火时间有助于钝化层碲化镉与碲镉汞之间形成良好的互扩散层，消除表面悬挂键，减少表面复合中心，降低探测器芯片表面复合电流，从而降低探测器芯片的暗电流。
[0003]在碲镉汞转P型退火中，材料上的温度分布对退火后材料的性能有很大影响，传统的方法是将碲镉汞芯片放在石英夹具上后放入退火炉中退火，由于石英管中心和边缘温度存在一定差异，会使得处于石英管不同位置的碲镉汞芯片的实际温度略有不同，当碲镉汞芯片面积较大时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述碲镉汞芯片退火装置包括：底座，所述底座上设置有第一支撑臂、第二支撑臂，所述第一支撑臂、所述第二支撑臂以及所述底座形成了容纳腔；盖板，所述盖板设置在所述第一支撑臂和所述第二支撑臂远离所述底座的一侧，分别与所述第一支撑臂和所述第二支撑臂连接，用于覆盖所述容纳腔；放置盘，所述放置盘设置在所述远离所述底座一侧，所述放置盘用于放置待退火碲镉汞芯片。2.根据权利要求1所述的碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述放置盘的材质包括以下之一：石墨、碳纳米管；所述底座的材质包括以下之一：石英，石墨。3.根据权利要求2所述的碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述放置盘远离所述盖板一侧的表面上设置有至少一个放置框，所述放置框的尺寸与所述待退火碲镉汞芯片的尺寸相匹配，用于放置所述待退火碲镉汞芯片。4.根据权利要求2所述的碲镉汞芯片退火装置，其特征在于，所述放置盘远离所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，祁娇娇，吴卿，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：