一种系统包含多个存储器装置和操作性地耦合到所述多个存储器装置的处理装置(例如，控制器)。所述处理装置将检测所述系统的通电并且在存储器组件的初始化之后的时间间隔期间确定所述多个存储器装置的码字子集的读取重试触发率(TR)。所述处理装置进一步确定所述TR是否满足阈值标准。响应于所述TR不满足所述阈值标准，所述处理装置将初始化所述多个存储器装置的完全存储器刷新。器装置的完全存储器刷新。器装置的完全存储器刷新。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在存储器子系统通电阶段期间执行完全存储器刷新的决策
[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，并且更具体地说，涉及决定是否在存储器子系统通电阶段期间执行完全存储器刷新。
技术介绍
[0002]存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。存储器子系统可包含一或多个存储数据的存储器组件。存储器组件可例如是非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可使用存储器子系统以在存储器组件处存储数据并且从存储器组件检索数据。
附图说明
[0003]根据下文给出的具体实施方式并且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0004]图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
[0005]图2A是表示根据本公开的实施例的单元电压阈值分布密度相对单元电压的曲线图，其示出短写入到读取(W2R)延迟。
[0006]图2B是表示根据本公开的实施例的单元电压阈值分布密度相对单元电压的曲线图，其示出中等W2R延迟。
[0007]图2C是表示根据本公开的实施例的单元电压阈值分布密度相对单元电压的曲线图，其示出长W2R延迟。
[0008]图3A是示出根据本公开的一些实施例的存储器子系统通电的阶段的时间图。
[0009]图3B是示出根据本公开的实施例的图3A的阶段和时间间隔的时间图，在所述时间间隔期间确定存储器子系统的读取重试触发率(TR)。
[0010]图3C是示出根据本公开的另一实施例的图3C的阶段和时间间隔的时间图，在所述时间间隔期间确定存储器子系统的TR。
[0011]图4是根据本公开的实施例的决定是否在存储器子系统通电阶段期间执行完全存储器刷新的实例方法的流程图。
[0012]图5是根据本公开的实施例在系统子系统通电阶段期间决定是否进入正常操作模式的实例方法的流程图。
[0013]图6是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的方面涉及决定是否在存储器子系统通电阶段期间执行完全存储器刷新。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可使用包含一或多个存储器组件或装置的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据并且可请求将从
存储器子系统检索的数据。
[0015]存储器子系统可包含可存储来自主机系统的数据的多个存储器组件或存储器装置。在各种实施例中，表示存储器单元的阈值电压的统计分布的单元电压阈值(Vt)分布密度随时间而变化，包含随时间增加的电压漂移(无论存储器子系统是否通电)。结合读取存储器单元时存在的噪声，单个读取电平可能不足以满足读取位的系统可靠性目标。在实践中，可以由存储器控制器(下文称为“控制器”)采用多个读取电平，以便恢复存储在存储器中的数据。通常，如果首次读取操作失败，则读取操作以低电压电平开始，并且接着在读取重试时移动到较高的电压电平。这是由于读取操作的部分写入效应，以避免仅基于读取尝试的Vt分布密度的失真。
[0016]在所公开的实施例中，可经由包含读取操作、写入操作或其组合的单元刷新操作执行存储器单元内的电压状态恢复(例如，Vt分布密度的恢复)。写入单元刷新可以是在位写入操作，其中首先确定电压电平状态(通过读取)，并且接着将所述状态重写到与之前相同的存储器单元，将所述单元复位回到原始阈值电压。如果存储器子系统已经长时间断电，则单元Vt分布密度可能已经迁移得显著更高，这如果保持不变，则会使得后续读取尝试的读取重试触发率(TR)更高。较高的TR会使得系统服务质量(QoS)和访问存储器的客户体验下降。由于未能读取目标数据，例如，错误校正码(ECC)未能对由初始读取操作检索到的媒体上的数据进行解码，因此每次重试读取操作时，TR都会增加。当初始低电压读取尝试相对于最佳读取电压来说过低时，可能需要重试读取操作。
[0017]常规地，控制器(例如，存储器子系统的处理装置)被配置成在检测到存储器子系统的通电时从不或总是执行完全存储器刷新操作。完全存储器刷新操作是指刷新存储器子系统中的每个单元(通常每次刷新单元的至少一个码字)的过程，所述过程可能花费几分钟到数十分钟来完成。始终执行完全存储器刷新的决定可能会产生不必要的存储器刷新，从而使得通电期间的吞吐量损失、额外的单元磨损、通电期间客户体验降低，以及存储器子系统的持久性和/或可靠性可能受损。然而，采取相反的方法，在存储器子系统通电后从不执行完全存储器刷新操作，会使得操作存储器子系统期间的TR较高和QoS降低，从而对正常运行期间的客户体验产生负面影响。
[0018]本公开的方面通过处理装置在存储器子系统通电后在存储器子系统通电后的固定时间段期间执行对读取重试触发率或TR的电平的检测来解决上述和其它缺陷。如果TR满足可接受的阈值标准(例如，在可接受的阈值标准内)，则不需要完全存储器刷新，并且正常操作可以继续进行读取操作和写入操作，所述读取操作和写入操作还可以选择性地执行一些单元刷新。如果TR不满足可接受的阈值标准(例如，不在可接受的阈值标准内)，则可在进入正常操作之前对存储器装置执行完全存储器刷新。为了满足阈值标准，TR可小于任选地乘以比例因子的TR需求值(TRreq)，其中所述比例因子小于一(“1”)。以此方式，可在通电操作之后针对存储器组件、装置或存储器子系统层级决定是否对存储器单元进行完全存储器刷新。
[0019]在实施例中，存储器子系统操作性地耦合到处理装置，其中存储器子系统包含一或多个存储器装置。处理装置可检测子系统的通电，并且在存储器子系统的初始化之后的时间间隔期间基于对存储在存储器装置处的码字子集的读取尝试而确定读取重试触发率(TR)。码字是由ECC单独保护的最小数据集。处理装置可进一步确定TR是否满足阈值标准。
响应于TR不满足阈值标准，处理子系统可初始化存储器组件或装置的完全存储器刷新。响应于TR满足阈值标准，处理装置可在没有完全存储器刷新的情况下进入正常操作模式。
[0020]本公开的优点包含但不限于基于存储器子系统的实际状况而智能发起完全存储器刷新，所述实际状况是在通电后立即根据存储在存储器装置上的码字子集的单元的TR水平测量的。避免在通电阶段后对完全存储器刷新实行全有或全无方法还可以避免存储器单元的不必要磨损，并且在通电阶段和正常操作存储器子系统期间改进系统吞吐量、延迟配置和总体客户体验。下文论述的存储器子系统的特征中的其它优点对于本领域技术人员来说将是显而易见的。
[0021]图1示出了根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或这些的组合。每个存储器装置130或140可以是一或多个存储器组件。
[0022]存储器子系统110本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，其包括：多个存储器装置，其存储码字集合；以及处理装置，其操作性地耦合到所述多个存储器装置，以：检测所述系统的通电；在所述多个存储器装置的初始化之后的时间间隔期间基于存储在所述多个存储器装置处的码字子集而确定读取重试触发率(TR)；确定所述TR是否满足阈值标准；并且响应于所述TR不满足所述阈值标准，初始化所述多个存储器装置的完全存储器刷新。2.根据权利要求1所述的系统，其中，响应于所述TR满足所述阈值标准，所述处理装置进一步使得所述系统在没有所述完全存储器刷新的情况下进入正常操作模式。3.根据权利要求1所述的系统，其中为了满足所述阈值标准，所述TR将小于TR需求值。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述TR是基于以下各项中的至少一个来确定：所述多个存储器装置的第一读取操作，其包括由所述处理装置执行的单元刷新操作；或所述多个存储器装置的第二读取操作，其由耦合到所述系统的主机系统发出。5.根据权利要求4所述的系统，其中在以下中的至少一个时：在所述多个存储器装置的指定初始化时段期间或之后，所述处理装置将对码字子集执行所述单元刷新操作。6.根据权利要求4所述的系统，其中所述处理装置将在所述多个存储器装置的所述初始化之后的指定减少的执行时段期间将所述第二读取操作从所述主机系统传递到所述多个存储器装置。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述时间间隔包括小于一秒的时间段。8.一种系统，其包括：多个存储器组件；以及处理装置，其操作性地耦合到所述多个存储器组件，以：检测所述系统的通电；至少在指定初始化时段期间，发起对存储在所述多个存储器组件处的码字子集的单元刷新操作，所述单元刷新操作包括对所述码字子集执行的读取操作；在所述系统的实际初始化之后的时间间隔期间基于对所述码字子集执行的所述读取操作而确定读取重试触发率(TR)，其中所述时间间隔包含所述指定初始化时段；确定所述TR是否满足阈值标准；并且响应于所述TR满足所述阈值标准，使得所述系统在没有执行完全存储器刷新的情况下进入正常操作模式。9.根据权利要求8所述的系统，其中，响应于所述TR不满足所述阈值标准，所述处理装置进一步初始化所述多个存储器组件的完全存储器刷新。10.根据权利要求8所述的系统，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢廷俊，沈震雷，周振明，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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