【技术实现步骤摘要】
一种真空密封旋转升降系统及半导体设备
[0001]本专利技术涉及半导体领域,具体而言,涉及一种真空密封旋转升降系统及半导体设备。
技术介绍
[0002]PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子体增强化学的气相沉积)镀膜工艺需要在真空环境中进行。在镀膜过程中需要机械设备进行旋转或升降的同时,也要保持稳定真空密封状态,以保证镀膜工艺正常进行。
[0003]然而现有的真空密封设备通常在会运动轴上设置密封圈以实现密封。然而真空密封设备长时间运行后,运动轴因始终与密封圈相对运动而会磨损密封圈,导致密封圈的密封性能降低甚至密封失效,因而需要对真空密封设备进行频繁维护。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种真空密封旋转升降系统及半导体设备,其能够在运动轴运动的情况下使密封圈相对运动轴保持静止的状态,从而实现有效密封,并延长密封圈的使用寿命。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现:第一方面,本专利技术提供一种真空密封旋转升降 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空密封旋转升降系统,其特征在于,包括磁流体密封组件、运动轴、伸缩组件及第一密封圈;所述磁流体密封组件用于与真空箱固定连接;所述运动轴的一端用于伸入所述真空箱内,另一端可活动地与所述磁流体密封组件连接并用于伸出所述真空箱外;所述伸缩组件套设于所述运动轴位于所述真空箱内的部分上,所述伸缩组件的一端与所述运动轴固定连接,另一端与所述磁流体密封组件固定连接,所述伸缩组件用于在运动轴相对所述磁流体密封组件伸缩的情况下跟随所述运动轴进行伸缩运动;所述第一密封圈设置于所述伸缩组件和所述运动轴之间。2.根据权利要求1所述的真空密封旋转升降系统,其特征在于,所述伸缩组件包括依次密封连接的第一连接管、伸缩管和第二连接管,所述第一连接管与所述运动轴固定连接,所述第二连接管与所述磁流体密封组件固定连接,其中,所述第一密封圈设置于所述第一连接管和所述运动轴之间。3.根据权利要求2所述的真空密封旋转升降系统,其特征在于,所述运动轴与所述第一连接管的连接处设置有第一凹槽,所述第一凹槽用于容置并露出第一密封圈。4.根据权利要求3所述的真空密封旋转升降系统,其特征在于,所述真空密封旋转升降系统还包括卡持组件,所述卡持组件可拆卸地安装在所述运动轴和所述第一连接管之间,且所述卡持组件位于所述第一凹槽远离所述伸缩管的一侧,所述卡持组件用于将所述第一连接管固定于所述运动轴。5.根据权利要求4所述的真空密封旋转升降系统,其特征在于,所述卡持组件包括卡持件和弹性挡圈,所述第一连接管设置有安装腔,在所述安装腔内的所述运...
【专利技术属性】
技术研发人员:马福厚,孙文彬,林政勋,戴建波,
申请(专利权)人:无锡邑文电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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