一种磁存储器及其写入方法技术

本发明专利技术公开了一种磁存储器及其写入方法，涉及磁存储领域，该磁存储器包括：基底和设置于所述基底之上的自旋耦合层，以及设置在所述自旋耦合层之上类场矩调控层和磁隧道结，所述类场矩调控层用于调控所述磁隧道结中产生的自旋轨道矩，实现对磁隧道结结构中自由层翻转所用的类场矩进行调控，进而实现对阻态翻转的调控。并且根据存储器在数据写入过程中实际的应用场景，通过改变对类场矩调控层退火条件，材料选取以及尺寸设计，实现对其类场矩大小和方向的量化固定，并在使用过程中结合对STT电信号方向的调控，进而对自由层反转起到促进或抑制的作用，以此实现对数据写入准确的控制。以此实现对数据写入准确的控制。以此实现对数据写入准确的控制。

【技术实现步骤摘要】
一种磁存储器及其写入方法


[0001]本专利技术实施例涉及磁存储领域，涉及一种磁存储器及其写入方法。

技术介绍

[0002]基于磁隧道结(MTJ，Magnetic Tunnel Junction)的磁性随机存储器(MRAM，Magnetic Random Access Memory)具有快速读写、低功耗、耐用性长、非易失性等优良特性而有望成为下一代通用存储器。现阶段MRAM利用自旋轨道矩(SOT，Spin Orbit Torque)效应进行数据写入仍处于学术研究阶段。理论上，此种写入方式具有亚纳秒的写入时间和较低的写入功耗。
[0003]然而，在对SOT
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MRAM实际应用中发现，SOT底电极电流转化为自旋流效率相对低下，且翻转初始阶段存在纳秒级以上延迟，这样会导致SOT
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MRAM本身在数据读写过程中存在高功耗，高延迟等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种磁存储器及其写入方式，以改善SOT
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MRAM本身在数据读写过程中存在高功耗，高延迟等问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器包括：基底和设置于所述基底之上的自旋轨道耦合层，以及设置在所述自旋轨道耦合层之上类场矩调控层和磁隧道结，所述类场矩调控层用于调控所述磁隧道结中产生的自旋轨道矩。2.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁存储器的结构包括：所述磁隧道结设置于所述类场矩调控层之上，所述自旋轨道耦合层设置于所述类场矩调控层之下；或者，所述磁隧道结设置与所属自旋轨道耦合层之上，所属类场矩调控层设置于所述磁隧道结之上。3.根据权利要求1或2所述的磁存储器，其特征在于，组成所述类场矩调控层的材料由反铁磁材料得到，所述反铁磁材料包括：锰化铱IrMn或锰化铂PtMn。4.根据权利要求1或2所述的磁存储器，其特征在于，所述类场矩调控层的材料为以下金属材料或者以下金属材料的组合材料：铁、钴、镍。5.根据权利要求2所述的磁存储器，其特征在于，所述类场矩调控层的磁场大小和方向可调整，调整因素包括以下至少一个：所述类场矩调控层的退火条件、所述类场矩调控层的材料、所述类场矩调控层的厚度以及所述类场矩调控层与所述自由层的设置距离。6.一种数据写入方法，其特征在于，应用于磁存储器，所述磁存储器包括类场矩调控层和磁隧道结，所述磁隧道结包含自由层，所述方法包括：所述类场矩调控层对所述自由层提供调控磁场，所述调控磁场方向固定，所述调控磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓昱东，蔡文龙，张洪超，曹凯华，赵巍胜，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：