半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)区以及逻辑区定义于基底上，第一金属内连线设于MRAM区，第二金属内连线设于逻辑区，停止层由第一金属内连线延伸至第二金属内连线且第一金属内连线上的停止层以及第二金属内连线上的停止层包含不同厚度以及一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于第一金属内连线上。设于第一金属内连线上。设于第一金属内连线上。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种制作半导体元件，尤其是涉及一种制作磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)元件的方法。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：基底，包含磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)区域以及逻辑区域；第一金属内连线，设于该MRAM区域；第二金属内连线，设于该逻辑区域；停止层，由该第一金属内连线延伸至该第二金属内连线，其中该第一金属内连线上的该停止层以及该第二金属内连线上的该停止层包含不同厚度；以及磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)，设于该第一金属内连线上。2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含第三金属内连线，设于该第一金属内连线以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈禹钧，刘彦群，冯雅圣，邱久容，曾奕铭，施易安，李怡慧，朱中良，胡修豪，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：