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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)区以及逻辑区定义于基底上，第一金属内连线设于MRAM区，第二金属内连线...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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