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本发明公开了一种磁存储器及其写入方法，涉及磁存储领域，该磁存储器包括：基底和设置于所述基底之上的自旋耦合层，以及设置在所述自旋耦合层之上类场矩调控层和磁隧道结，所述类场矩调控层用于调控所述磁隧道结中产生的自旋轨道矩，实现对磁隧道结结构中自由...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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