存储器器件、存储器阵列及其形成方法技术

本公开涉及一种存储器器件、存储器阵列及其形成方法。可以提供一种存储器器件。该存储器器件可以包括衬底，其中衬底包括具有第一导电类型的阱。该存储器器件还可以包括：接触元件，其布置在阱中并且包括具有第一导电类型的第一接触；二极管层，其布置在阱中并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；以及虚设栅极，其被配置为将第一接触与二极管层隔离。该存储器器件还可以包括电连接到二极管层的存储器元件。储器元件。储器元件。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件、存储器阵列及其形成方法


[0001]本公开一般地涉及存储器器件、存储器阵列、形成存储器器件的方法和形成存储器阵列的方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器具有多种应用，其中包括各种消费者电子和计算器件。新兴的存储器包括电阻随机存取存储器(ReRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)等。
[0003]对于高密度应用，存储器可以集成在交叉点或交叉条(cross
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bar)存储器架构中。在1T1R(一晶体管和一电阻器)结构中，位基元具有较大的基元尺寸并招致大面积损失。因此，提出了具有1S1R(一选择器和一电阻器)结构的交叉点存储器架构，以实现紧凑的基元尺寸并抑制潜行(sneak)路径电流。
[0004]然而，常规1S1R结构中使用的诸如BEOL(后段制程)金属基选择器之类的各种选择器与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺不兼容。这些选择器还经受低驱动性、小开/关比、差耐久性，因此需要低处理温度。

技术实现思路

[0005]根据各种非限制性实施例，可以提供一种存储器器件。所述存储器器件可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；接触元件，其布置在所述阱中，其中所述接触元件包括具有所述第一导电类型的第一接触；二极管层，其布置在所述阱中，其中所述二极管层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；虚设栅极，其被配置为将所述第一接触与所述二极管层隔离；以及存储器元件，其电连接到所述二极管层。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述阱的至少一部分和所述二极管层形成二极管。3.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：沟道层，其具有所述第二导电类型，其中所述沟道层布置在所述阱中；以及另外的二极管层，其布置在所述沟道层中，其中所述另外的二极管层具有所述第一导电类型并且被电连接到所述存储器元件，其中所述沟道层的至少一部分和所述另外的二极管层形成另外的二极管。4.根据权利要求3所述的存储器器件，还包括：布置在所述衬底中的隔离元件和位于所述隔离元件下方的隔离阱，其中所述隔离元件布置在所述二极管层与所述另外的二极管层之间，以及其中所述隔离阱具有所述第二导电类型。5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述接触元件还包括：布置在所述沟道层中的第二接触，其中所述第二接触具有所述第二导电类型；以及布置在所述阱中的第三接触，其中所述第三接触具有所述第一导电类型。6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述虚设栅极被配置为将所述第二接触与所述另外的二极管层隔离。7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述虚设栅极包括栅极电介质层、布置在所述栅极电介质层上方的栅极层、以及围绕所述栅极电介质层和所述栅极层的绝缘间隔物。8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述接触元件电连接到第一信号线，并且其中所述存储器元件电连接到第二信号线。9.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述存储器元件是电阻式存储器。10.一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：提供衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；在所述阱中形成接触元件，其中所述接触元件包括具有所述第一导电类型的第一接触；在所述阱中形成二极管层，其中所述二极管层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；形成虚设栅极以将所述第一接触与所述二极管层隔离；以及将存储器元件电连接到所述二极管层。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
在所述阱中形成沟道层，其中所述沟道层具有所述第二导电类型；在所述沟道层中形成另外的二极管层并且将所述另外的二极管层电连接到所述存储器元件，其中所述另外的二极管层具有所述第一导电类型。12.一种存储器阵列，包括：衬底，其中所述衬底包括具有第一导电类型的阱；多个列，其包...

【专利技术属性】
技术研发人员：章纬，卓荣发，陈元文，陈学深，
申请(专利权)人：格芯新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：