存储器选择器制造技术

本公开涉及一种用于存储单元(3)的选择器(33)，该选择器旨在从电阻状态变为导通状态以分别禁止或授权对存储单元的存取，其特征在于由锗、硒、砷和碲构成的合金制成。砷和碲构成的合金制成。砷和碲构成的合金制成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器选择器
[0001]本专利申请主张应该被视为形成本公开的一部分的法国专利申请FR19/04900的优先权。


[0002]本公开一般地涉及电子设备，更具体地说，涉及电阻式存储器及其选择器。更具体地说，本公开适用于给定选择器的构成。

技术介绍

[0003]集成在“1T1R”型阵列中的电阻式随机存取存储器是已知的。这些阵列由包含一个晶体管和一个电阻单元的结构组成。在这种结构中，晶体管用作选择器。该选择器使得存取电阻式存储单元成为可能，以便在给定的存储单元中进行读取或写入或擦除或编程操作(编程＝写入和擦除)，同时限制存储阵列其余部分中不希望有的漏电流。
[0004]与电阻单元的选择器相比，当前在存储阵列中使用的选择器具有大尺寸。因此，这影响了存储阵列的密度。

技术实现思路

[0005]需要优化当前的选择器元件。
[0006]一个实施例解决了已知选择器元件的全部或部分缺陷。
[0007]一个实施例提供了一种用于存储单元的选择器，其旨在从电阻状态变为导通状态以分别禁止或授权对所述存储单元的存取，其特征在于由锗、硒、砷和碲构成的GS
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AT合金制成。
[0008]根据一个实施例，所述GS
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AT合金为Ge3Se7As2Te3。
[0009]根据一个实施例，所述GS
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AT合金具有介于20％至80％之间的砷碲AT化合物含量。
[0010]根据一个实施例，所述GS
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AT合金具有40％的砷碲AT化合物含量。
[0011]根据一个实施例，所述GS
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AT合金通过物理气相沉积获得。
[0012]根据一个实施例，所述选择器为双向阈值开关。
[0013]一个实施例提供了一种存储点，包括：
[0014]电阻式存储元件；以及
[0015]所述的选择器开关。
[0016]根据一个实施例，砷、碲、锗和硒的比例使得所述选择器的阈值电压(Vth)大于或等于电阻式存储元件的编程电压。
[0017]根据一个实施例，砷碲AT化合物的含量和锗硒GS化合物的含量使得所述选择器的阈值电压大于或等于所述电阻式存储元件的编程电压。
[0018]根据一个实施例，砷碲AT化合物的含量和锗硒GS化合物的含量使得所述选择器的阈值电流小于或等于所述电阻式存储元件的状态切换电流。
[0019]一个实施例提供了一种具有多个上述存储点的存储器。
[0020]根据一个实施例，所述存储器是电阻式氧化物存储器或导电链路随机存取存储器。
[0021]根据一个实施例，每个存储点串联地包括：
[0022]所述选择器；
[0023]所述电阻式存储元件；以及
[0024]介于所述选择器和所述电阻式存储元件之间的导电层。
[0025]根据一个实施例，所述存储点被组织为阵列。
[0026]根据一个实施例，每个存储点介于第一导体和第二导体之间。
[0027]一个实施例提供了这样一种包括由所述导体隔开的所述存储点的三维堆叠的存储器。
[0028]一个实施例提供了一种制造存储器的方法，包括以下步骤：
[0029]制造至少一个电阻式存储元件；以及
[0030]与所述电阻式存储元件相关地制造由锗、硒、砷和碲构成的合金制成的至少一个选择器。
附图说明
[0031]上述以及其他特征和优点将在以下以举例说明而非限制方式给出的特定实施例的描述中，参考附图进行详细描述，其中：
[0032]图1是存储器的一个实施例的简化透视图；
[0033]图2示意性地示出了存储点阵列的一个实施例；
[0034]图3示出了存储点的一个实施例的电流/电压特性；
[0035]图4示出了选择器元件的一个实施例的特征量的变化曲线；
[0036]图5示出了选择器元件的一个实施例的特征量的另一变化曲线；以及
[0037]图6在视图A和B中示出了选择器元件的一个实施例的特征量的又一变化曲线。
具体实施方式
[0038]在各个图中，相似的特征由相似的附图标记指定。特别地，各种实施例中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记并且可以具有相同的结构、尺寸和材料特性。
[0039]为了清楚起见，仅详细说明和描述了对理解这里描述的实施例有用的操作和元件。特别地，存储点可以包括未描述的元件，例如电连接。
[0040]除非另有说明，否则当提及两个连接在一起的元件时，这意味着除了导体之外没有任何中间元件的直接连接，并且当提及两个耦合在一起的元件时，这意味着这两个元件可以连接，或者可以经由一个或多个其他元件耦合。
[0041]在以下公开中，除非另有说明，否则当提及绝对位置限定词，例如术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等，或相对位置限定词，例如术语“上方”、“下方”、“较高”、“较低”等，或取向限定词，例如“水平”、“垂直”等时，参考图中所示的取向，如正常使用期间的方向。
[0042]除非另有说明，否则表述“大约”、“近似”、“基本上”和“约为”表示在10％以内，优选地在5％以内。
[0043]图1是存储器1的一个实施例的简化透视图。
[0044]根据该实施例，存储器1包括能够存储数据项的全部或部分的存储点或单元3。存储器1还具有电导体50、51、52、53、54和55。这些导体50、51、52、53、54和55由诸如铜之类的导电金属材料制成。
[0045]图1中的导体50、51、52、53、54和55以当从上方观察时形成阵列的方式布置，其中每个相交点或交叉点对应于一个存储点位置。在导体50、51、52、53、54和55中，第一导体50、52和54形成相互平行且规则间隔的直线条。在导体50、51、52、53、54和55中，第二导体51、53和55也形成相互平行且均匀间隔的直线条。当从上方观察时，第一导体50、52和54垂直于第二导体51、53和55布置。然而，导体50、51、52、53、54和55彼此不直接连接。
[0046]在图1中，一方面的第一导体50、52和54和另一方面的第二导体51、53和55不共面，而是相隔对应于存储点3的高度(记为H)的距离。存储器1的每个存储点3因此介于以下导体之间：
[0047]第一导体50、52和54中的第一导体；以及
[0048]第二导体51、53和55中的第二导体。
[0049]在图1中，从上方观察，每个存储点3具有正方形形状，其一边的长度为P/2。该测量值P/2相当于由存储器1的导体50、51、52、53、54和55形成的阵列的称为“间距”P的量的一半。与同一导体50、51、52、53、54或55接触的存储点3规则地间隔开也相当于P/2的距离，该距离对应于阵列间距的一半。仍然在图1中，导体50、51、52、53、54和55具有矩形形状，其中短边等于间距的一半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于存储单元(3)的选择器(33)，其旨在从电阻状态变为导通状态以分别禁止或授权对所述存储单元的存取，其特征在于由锗、硒、砷和碲构成的GS
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AT合金制成。2.根据权利要求1所述的选择器，其中所述GS
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AT合金为Ge3Se7As2Te3。3.根据权利要求1或2所述的选择器，其中所述GS
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AT合金具有介于20％至80％之间的砷碲AT化合物含量。4.根据权利要求1至3中任一项所述的选择器，其中所述GS
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AT合金具有40％的砷碲AT化合物含量。5.根据权利要求1至4中任一项所述的选择器，其中所述GS
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AT合金通过物理气相沉积获得。6.根据权利要求1至5中任一项所述的选择器，其中所述选择器为双向阈值开关。7.一种存储点(3)，包括：电阻式存储元件(31)；以及根据权利要求1至6中任一项所述的选择器(33)。8.根据权利要求7所述的存储点，其中砷、碲、锗和硒的比例使得所述选择器(33)的阈值电压(Vth)大于或等于电阻式存储元件(31)的编程电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼，
申请(专利权)人：原子能与替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：