微机电系统、用于制造微机电系统的方法技术方案

本发明专利技术请求保护一种微机电系统，包括具有主延伸平面的衬底，其中，微机电系统包括质量结构，其中，质量结构沿垂直于主延伸平面的垂直方向相对于衬底能运动地构造，其中，质量结构具有电极结构，其中，衬底具有对应电极结构，其中，电极结构和对应电极结构电容式地耦合，其特征在于，质量结构

【技术实现步骤摘要】
微机电系统、用于制造微机电系统的方法


[0001]本专利技术涉及一种微机电系统。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS)通常例如作为用于测量加速度和/或转速的惯性传感器已知。这种传感器以大批量制造用于汽车和消费电子领域中的不同应用。
[0003]例如已知具有垂直于晶片平面的探测方向(z方向)的加速度传感器，在所述加速度传感器中使用摆杆结构。该摆杆的传感器原理基于弹簧
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质量系统，在该弹簧
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质量系统中在最简单的情况下可运动的振动质量与两个固定在衬底上的对应电极形成两个平板电容器。振动质量通过至少一个、出于对称原因通常通过两个扭转弹簧与衬底连接。如果质量结构在扭转弹簧的两侧上的部分不一样大，那么在z加速度的影响下质量结构相对于作为旋转轴的扭转弹簧旋转，这引起了摆动运动。在此，电极在具有较大质量的一侧上的距离变小并且在另一侧上变大。由此得出电容变化，该电容变化是用于起作用的加速度的量度。这种加速度传感器例如在EP 0 244 581 A1和EP 0 773 443 B1中公开。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.微机电系统(1)，包括具有主延伸平面(100)的衬底(20)，其中，所述微机电系统包括质量结构(10)，其中，所述质量结构(10)沿垂直于主延伸平面(100)的所述垂直方向(110)相对于所述衬底(20)能运动地构造，其中，所述质量结构(10)具有电极结构(11)，其中，所述衬底(20)具有对应电极结构(21)，其中，所述电极结构(11)和所述对应电极结构(21)电容式地耦合，其特征在于，所述质量结构(10)
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在所述微机电系统(1)的静止状态中
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具有变形，其中，所述电极结构(11)和/或所述对应电极结构(21)根据所述质量结构(10)的变形构造。2.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，
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所述质量结构(10)的变形包括在所述微机电系统(1)的静止状态中所述质量结构(10)相对于所述衬底(20)的尤其局部变化的预偏移，和/或
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所述质量结构(10)的变形包括所述质量结构的形状相对于所述质量结构(10)的在制造微机电系统时争取达到的形状的偏差，和/或
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所述质量结构(10)的变形通过机械夹紧引起，其中，所述机械夹紧尤其通过所述微机电系统(1)的制造引起。3.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述电极结构(11)的第一形状(11
’
)和/或所述对应电极结构(21)的第二形状(21
’
)根据所述质量结构(10)的变形构造。4.根据权利要求3所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述电极结构(11)的所述第一形状(11
’
)和/或所述对应电极结构(21)的所述第二形状(21
’
)借助于多个角形的、尤其直角的部分区段(30)构造。5.根据前述权利要求中任一项所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述电极结构(11)和/或所述对应电极结构(21)根据所述质量结构(10)的变形构造，使得在所述质量结构(10)的最大偏移的状态中、尤其在所述质量结构(10)和所述衬底(20)之间出现止挡时不低于所述电极结构(11)和所述对应电极结构(21)之间的能确定的最小距离。6.根据权利要求5所述的微机电系统(1)，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：