一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法技术

本发明专利技术公开了一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，其中，测试结构包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底、绝缘层和由单晶硅结构层构成的过刻结构；上层硅片包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元、第二L型硅梁单元、第三L型硅梁单元和第四L型硅梁单元；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区；其中，测试方法包括采用四线法测量过刻结构的等效电阻率，根据等效电阻率计算得到过刻结构的过刻坡度。本发明专利技术的测试结构简单，制备成本低，测试方法步骤简洁，能够快速获得结果，且通用性强。且通用性强。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法


[0001]本专利技术涉及一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，属于半导体


技术介绍

[0002]微电子机械系统(MEMS，Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System)是在微电子技术基础上发展起来的前沿研究领域。其基本特点是微型化、高集成度和高精度的批量制造。随着MEMS产业化的发展，MEMS产品的设计结构越来越复杂，对工艺线的要求也越来越高，而在线测试技术是监控加工工艺线、保证其良率的关键。
[0003]很多MEMS产品都采用多层键合技术，在制作其中的可动结构时往往需要使用DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反应离子刻蚀)工艺进行深度刻蚀，该项工艺有可能产生跨层过刻蚀，在底部形成带坡度的过刻蚀区域，该过刻蚀区域会向上层结构层的正下方扩展，当可动结构上下运动时，很容易与过刻蚀区域发生粘附，导致器件失效，因此需要设计测试结构，用于监测多层键合MEMS器件中由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构，其特征是，包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底(4)、绝缘层(5)和过刻结构(6)，过刻结构(6)材质为单晶硅；上层硅片包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元(101)、第二L型硅梁单元(102)、第三L型硅梁单元(103)和第四L型硅梁单元(104)；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区(9)；各L型硅梁单元均包括L型硅梁(1)，L型硅梁(1)的拐点处设有锚区(3)，锚区(3)顶端设有电极(2)，电极(2)用于连接外置的电源或电压表。2.根据权利要求1所述的用于多层键合MEMS器件的过刻坡度测试结构，其特征是，各所述锚区(3)底端设有第一金属键合层(7)，过刻结构(6)顶部设有与各第一金属键合层(7)对应的第二金属键合层(8)；所述键合连接的SOI硅片和上层硅片是通过第一金属键合层(7)和第二金属键合层(8)键合连接。3.根据权利要求1所述的用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构，其特征是，所述L型硅梁(1)材质为单晶硅。4.根据权利要求1所述的用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构，其特征是，所述电极(2)为金属电极。5.一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海韵，李臣民，高红民，沈洁，
申请(专利权)人：河海大学，
类型：发明
国别省市：