存储器设备制造技术

提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。相邻。相邻。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于2020年8月10日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
‑
0100118号韩国专利申请并要求其优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术构思涉及存储器设备，并且更具体地，涉及页面缓冲器电路和包括该页面缓冲器电路的存储器设备。

技术介绍

[0004]最近，已经开发了具有多功能并处理大量信息的通信设备，因此，已经要求存储器设备具有大容量并且高度集成。存储器设备可以包括页面缓冲器，用以将数据存储在存储器单元中或者从存储器单元输出数据，并且页面缓冲器可以具有半导体器件，诸如晶体管。根据存储器设备的集成度的提高和工艺技术的发展，对减小页面缓冲器尺寸的需求可能导致半导体器件尺寸的减小，因此，连接到半导体器件的布线的布局可能变得复杂。

技术实现思路

[0005]根据示例实施例，提供了一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，连接到存储器单元阵列，该页面缓冲器电路设置在页面缓冲器区域中，页面缓冲器区域包括沿第一水平方向布置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域中，该页面缓冲器电路包括沿第二水平方向布置在主区域中的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元，其中第一页面缓冲器单元包括第一读出节点，而第二页面缓冲器单元包括第二读出节点，其中第一读出节点包括：第一下金属图案，设置在下金属层中；和第一上金属图案，设置在沿垂直方向设置在下金属层上方的上金属层中，并且第一上金属图案电连接到第一下金属图案，并且其中第二读出节点包括：第二下金属图案，设置在下金属层中；和第二上金属图案，设置在上金属层中，该第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且该第二上金属图案在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。
[0006]根据另一示例实施例，提供了一种存储器设备，包括：第一半导体层，包括分别连接到在第一水平方向上延伸的多条位线的多个存储器单元；和第二半导体层，在垂直于第一半导体层的垂直方向上设置，该第二半导体层包括多个页面缓冲器，其中多个页面缓冲器包括包含第一读出节点的第一页面缓冲器单元和包含第二读出节点的第二页面缓冲器单元，其中第一读出节点包括：第一下金属图案，设置在下金属层中；和第一上金属图案，设置在沿垂直方向设置在下金属层上方的上金属层中，并且电连接到该下金属图案，其中第二读出节点包括：第二下金属图案，设置在该下金属层中；和第二上金属图案，设置在该上金属层中，其中第二页面缓冲器单元在第二水平方向上与第一页面缓冲器单元相邻，并且其中第一上金属图案在第二水平方向上不与第二上金属图案相邻。
[0007]根据另一示例实施例，提供了一种存储器设备，包括：存储器单元区域，包括多个
存储器单元和第一金属焊盘；和外围电路区域，包括第二金属焊盘，并且通过第一金属焊盘和第二金属焊盘在垂直方向上连接到该存储器单元区域，其中外围电路区域还包括多个页面缓冲器，其中多个页面缓冲器包括包含第一读出节点的第一页面缓冲器单元和包含第二读出节点的第二页面缓冲器单元，其中第一读出节点包括：第一下金属图案，设置在下金属层中；和第一上金属图案，设置在沿垂直方向设置在下金属层上方的上金属层中，并且电连接到下金属图案，其中第二读出节点包括：第二下金属图案，设置在下金属层中；和第二上金属图案，设置在上金属层中，其中第二页面缓冲器单元在第二水平方向上与第一页面缓冲器单元相邻，并且其中第一上金属图案在第二水平方向上不与第二上金属图案相邻。
[0008]根据另一示例实施例，提供了一种设置在页面缓冲器区域中的页面缓冲器电路，该页面缓冲器区域包括在第一水平方向上彼此相邻设置的主区域和高速缓存区域，该页面缓冲器电路包括：第一读出锁存器和第二读出锁存器，设置在主区域中，第一读出锁存器和第二读出锁存器在第二水平方向上彼此相邻；第一高速缓存锁存器和第二高速缓存锁存器，设置在高速缓存区域中，第一高速缓存锁存器和第二高速缓存锁存器在第二水平方向上彼此相邻，并且分别连接到第一读出锁存器和第二读出锁存器；下金属层，包括在垂直方向上设置在第一读出锁存器和第二读出锁存器上方并对应于连接到第一读出锁存器的第一读出节点的第一下金属图案，以及在垂直方向上设置在第一读出锁存器和第二读出锁存器上方并对应于连接到第二读出锁存器的第二读出节点的第二下金属图案；和上金属层，包括在垂直方向上设置在下金属层上方并连接到第一下金属图案的第一上金属图案，以及在垂直方向上设置在下金属层上方并连接到第二下金属图案的第二上金属图案，其中第一上金属图案和第二上金属图案在第二水平方向上彼此不相邻。
附图说明
[0009]从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本专利技术构思的实施例，其中：
[0010]图1是根据本专利技术构思的示例实施例的存储器设备的框图；
[0011]图2是根据本专利技术构思的示例实施例的图1的存储器设备的立体图；
[0012]图3是根据本专利技术构思的示例实施例的图1的存储器单元阵列的立体图；
[0013]图4是根据本专利技术构思的示例实施例的图3的存储器块(memory block)的立体图；
[0014]图5是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器的电路图；
[0015]图6是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器电路的电路图；
[0016]图7是根据本专利技术构思的示例实施例的高速缓存单元的电路图；
[0017]图8是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器的电路图；
[0018]图9是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器电路和页面缓冲器解码器的框图；
[0019]图10是根据本专利技术构思的示例实施例的图9的页面缓冲器电路的框图；
[0020]图11是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器电路的俯视图；
[0021]图12是根据本专利技术构思的示例实施例的图11的第一金属层至第三金属层的立体图；
[0022]图13是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器电路的截面图；
[0023]图14至图17是根据本专利技术构思的一些示例实施例的第三金属层的布局；
[0024]图18是根据本专利技术构思的示例实施例的页面缓冲器电路的俯视图；
[0025]图19至图22是根据本专利技术构思的一些示例实施例的第一金属层至第三金属层的布局；
[0026]图23和图24是根据本专利技术构思的一些示例实施例的页面缓冲器的电路图；
[0027]图25至图28是根据本专利技术构思的一些示例实施例的第三金属层的布局；
[0028]图29是根据本专利技术构思的示例性实施例的存储器设备的截面图；并且
[0029]图30是应用了根据本专利技术构思的示例实施例的存储器设备的固态驱动器(solid state drive，SSD)系统的示例的框图。
具体实施方式
[0030]在下文中，将参考附图详细描述本专利技术构思的实施例。
[0031]图1是根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，连接到所述存储器单元阵列，所述页面缓冲器电路设置在页面缓冲器区域中，所述页面缓冲器区域包括沿第一水平方向布置的主区域和高速缓存区域，并且所述页面缓冲器电路包括沿第二水平方向布置在所述主区域中的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元，其中所述第一页面缓冲器单元包括第一读出节点，并且所述第二页面缓冲器单元包括第二读出节点，其中所述第一读出节点包括：第一下金属图案，设置在下金属层中；和第一上金属图案，设置在沿垂直方向设置在所述下金属层上方的上金属层中，并且所述第一上金属图案电连接到所述第一下金属图案，并且其中所述第二读出节点包括：第二下金属图案，设置在所述下金属层中；和第二上金属图案，设置在所述上金属层中，所述第二上金属图案电连接到所述第二下金属图案，并且所述第二上金属图案在所述第二水平方向上不与所述第一上金属图案相邻。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述页面缓冲器电路还包括设置在所述高速缓存区域中的第一高速缓存锁存器和第二高速缓存锁存器，并且其中所述第一高速缓存锁存器和所述第二高速缓存锁存器在所述第二水平方向上彼此相邻并分别连接到所述第一页面缓冲器单元和所述第二页面缓冲器单元，并且在所述第二水平方向上彼此相邻。3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一下金属图案和所述第二下金属图案在与所述第一上金属图案和所述第二上金属图案相同的方向上延伸。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述第一页面缓冲器单元和所述第二页面缓冲器单元分别通过第一位线和第二位线连接到所述多个存储器单元，并且所述第一位线和所述第二位线在与所述第一下金属图案和所述第二下金属图案以及所述第一上金属图案和所述第二上金属图案相同的方向上延伸。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述上金属层包括：第一电源图案，设置在所述第一页面缓冲器单元上方；所述第一上金属图案，设置在所述第一页面缓冲器单元上方，并且在所述第二水平方向上与所述第一电源图案相邻；所述第二上金属图案，设置在所述第二页面缓冲器单元上方；和第二电源图案，设置在所述第二页面缓冲器单元上方，并且在所述第二水平方向上与所述第二上金属图案相邻。6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述上金属层包括：内部信号图案，设置在所述第一页面缓冲器单元上方；第一电源图案，设置在所述第一页面缓冲器单元上方，并且在所述第二水平方向上与所述内部信号图案相邻；和
所述第一上金属图案和所述第二上金属图案，设置在所述第二页面缓冲器单元上方。7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述上金属层包括：第一电源图案，设置在所述第一页面缓冲器单元上方；第二电源图案，设置在所述第二页面缓冲器单元上方；和所述第一上金属图案和所述第二上金属图案，沿所述第一水平方向布置在所述第一电源图案和所述第二电源图案之间。8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述上金属层包括：内部信号图案，设置在所述第一页面缓冲器单元上方；所述第一上金属图案和所述第二上金属图案，设置在所述第二页面缓冲器单元上方，并且沿所述第一水平方向布置；和电源图案，设置在所述内部信号图案与所述第一上金属图案和所述第二上金属图案之间。9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述上金属层包括：第一电源图案；第一上金属图案，在所述第二水平方向上与所述第一电源图案相邻设置；第二电源图案，在所述第二水平方向上与所述第一上金属图案相邻设置；所述第二上金属图案，在所述第二水平方向上与所述第二电源图案相邻设置；和第三电源图案，在所述第二水平方向上与所述第二上金属图案相邻设置，并且其中所述第一电源图案至所述第三电源图案以及所述第一上金属图案和所述第二上金属图案在所述第一水平方向上延伸。10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述上金属层包括：第一轨道上的第一内部信号图案；第二轨道上的所述第一上金属图案；第三轨道上的第二内部信号图案；第四轨道上的第三内部信号图案；和第五轨道上的所述第二上金属图案，并且其中所述第一内部信号图案、所述第二内部信号图案和所述第三内部信号图案以及所述第一上金属图案和所述第二上金属图案在所述第一水平方向上延伸。11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述上金属层还包括：所述第一轨道上的第一电源图案；和所述第三轨道上的第二电源图案，并且其中所述第一电源图案、所述第一上金属图案和所述第二电源图案在所述第二水平方向上彼此相邻。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹溶成，姜仁昊，朴安洙，朴曾焕，申东夏，郑在元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：