【技术实现步骤摘要】
电阻式存储装置以及其制作方法
[0001]本专利技术涉及一种电阻式存储装置以及其制作方法，尤指是涉及一种具有不同厚度的可变电阻层的电阻式存储装置以及其制作方法。
技术介绍
[0002]半导体存储器为电脑或电子产品中用于存储数据的半导体元件，其可大概分为挥发性存储器(volatile)与非挥发性(non-volatile)存储器。挥发性存储器是指当操作的电源中断后，所存储的数据便会消失的电脑存储器，而相对地，非挥发性存储器则具有不因电源供应中断而造成存储数据遗失的特性。电阻式随机存取存储器(resistive RAM，RRAM)为一种非挥发性存储器，其具有低操作电压、低耗电以及高写入速度等特性而被视为可被应用于许多电子装置中的存储器结构。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供了一种电阻式存储装置以及其制作方法，利用不同厚度的可变电阻层增加电阻式存储装置可切换的电阻状态，进而实现具有多重电阻状态的电阻式存储装置。
[0004]本专利技术的一实施例提供一种电阻式存储装置，其包括一第一堆叠结构以及一第二堆叠结构。第一堆叠结构包括一第一下电极、一第一上电极以及一第一可变电阻层。第一上电极设置于第一下电极上，而第一可变电阻层于一垂直方向上设置于第一下电极与第一上电极之间。第二堆叠结构包括一第二下电极、一第二上电极以及一第二可变电阻层。第二上电极设置于第二下电极上，而第二可变电阻层于垂直方向上设置于第二下电极与第二上电极之间。第一可变电阻层的厚度小于第二可变电阻层的厚度。
[0005]本专利技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储装置，其特征在于，包括：第一堆叠结构，该第一堆叠结构包括：第一下电极；第一上电极，设置于该第一下电极上；以及第一可变电阻层，在垂直方向上设置于该第一下电极与该第一上电极之间；以及第二堆叠结构，该第二堆叠结构包括：第二下电极；第二上电极，设置于该第二下电极上；以及第二可变电阻层，在该垂直方向上设置于该第二下电极与该第二上电极之间，其中该第一可变电阻层的厚度小于该第二可变电阻层的厚度。2.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该第一可变电阻层的材料组成与该第二可变电阻层的材料组成相同。3.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该第一下电极与该第二下电极电连接，且该第一上电极与该第二上电极电连接。4.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该第二可变电阻层包括：第一层；以及第二层，设置于该第一层上，其中该第一可变电阻层的材料组成与该第一层以及该第二层中的至少一者的材料组成相同。5.如权利要求4所述的电阻式存储装置，其中该第一层的该材料组成不同于该第二层的该材料组成。6.如权利要求4所述的电阻式存储装置，其中该第二层于该第二可变电阻层的剖视图中包括U型结构，围绕该第二上电极。7.如权利要求6所述的电阻式存储装置，其中该第二层的该材料组成不同于该第一可变电阻层的该材料组成。8.如权利要求6所述的电阻式存储装置，其中该第二层的上表面与该第二上电极的上表面共平面。9.如权利要求6所述的电阻式存储装置，其中该第一堆叠结构还包括：第一中间电极，在该垂直方向上设置于该第一下电极与该第一上电极之间，其中该第一可变电阻层设置于该第一中间电极与该第一上电极之间；以及第一二极管层，设置于该第一中间电极与该第一下电极之间，其中该第二堆叠结构还包括：第二中间电极，在该垂直方向上设置于该第二下电极与该第二上电极之间，其中该第二可变电阻层设置于该第二中间电极与该第二上电极之间；以及第二二极管层，设置于该第二中间电极与该第二下电极之间。10.如权利要求9所述的电阻式存储装置，其中该第一上电极与该第一中间电极之间于该垂直方向上的距离小于该第二上电极与该第二中间电极之间于该垂直方向上的距离。11.如权利要求9所述的电阻式存储装置，其中该第一可变电阻层直接接触该第一中间电极与该第一上电极，且该第二可变电阻层直接接触该第二中间电极与该第二上电极。12.如权利要求1所述的电阻式存储装置，其中该第一上电极的上表面与该第二上电极
的上表面共平面，且该第一上电极的下表面于该垂直方向上低于该第二上电极的下表面。13.一种电阻式存储装置的制作方法，包括：在介电层上形成第一堆叠结构，其中该第一堆叠结构包括：第一下电极；第一上电极，设置于该第一下电极上；以及第一可变电阻层，在垂直方向上设置于该第一下电极与该第一上电极之间；以及在该介电层上形成第二堆叠结构，其中该第二堆叠结构包括：第二下电极；第二上电极，设置于该第二下电极上；以及第二可变电阻层，在该垂直方向上...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏宇，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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