【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及锂二次电池，主要涉及锂二次电池中所含的负极的改进。
技术介绍
锂二次电池由于具有高容量及高能量密度，容易进行小型化及轻量化，因此被广泛用作例如便携式电话、便携式信息终端(PDA)、笔记本型个人 计算机、摄像机、便携式游戏机等携带式小型电子设备的电源。在有代表 性的锂二次电池中，使用含有锂钴化合物作为正极活性物质的正极、含有 碳材料作为负极活性物质的负极、及聚烯烃制多孔质膜即隔膜。此种锂二 次电池，容量及输出高，且寿命也长。但是，在携带式小型电子设备中， 一直在推进进一步的多功能化，因而一直在谋求连续使用时间的延长。为 了对应这样的要求，锂二次电池也一直在谋求进一步的高容量化。为了锂二次电池的进一步的高容量化，例如， 一直在进行高容量的负 极活性物质的开发。作为高容量的负极活性物质，着眼于通过与锂合金化 而嵌入锂的合金系负极活性物质。作为合金系负极活性物质，己知有含硅 的材料，例如硅单质、硅氧化物、硅氮化物、含硅的合金等。合金系负极 活性物质具有高的放电容量。例如，硅的理论放电容量大约为4199mAh / g， 是以往用作负极活性物质的石墨的理论放...
【技术保护点】
一种锂二次电池，其具备含有正极活性物质的正极、含有负极活性物质的负极、隔膜及非水电解质， 所述负极活性物质包含可嵌入及脱嵌锂离子的第１部分、和覆盖所述第１部分的表面的至少一部分的第２部分， 所述第２部分含有与氧的反应性比所述第１部分低的至少１种材料。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤川万乡，武泽秀治，中井美有纪，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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