易于设具曲弧面的致冷芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其包括由第一与第二导热导电基板、绝缘层、电路层及多数Ｐ型半导体晶粒及Ｎ型半导体晶粒所组成；而该导热导电基板除具有电与热的良导特性外，更具有优良的塑性加工变形能力，可依产品型态上的需求，做出合宜的曲弧面，再以绝缘层被覆于两基板之间用以布置使Ｐ／Ｎ型半导体晶粒的表面，除能改善传统陶瓷基板易脆裂及受限仅能使用在平面产品上的不便外，更能提供加工更为简易，成本更为低廉的可弧面化致冷芯片。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种易于设具曲弧面的致冷芯片结构。
技术介绍
致冷芯片是一种配合相关组件的组合，使致冷芯片导电后，其芯片上产生具有大幅温差的冷界面及热界面，其中因致冷芯片耗电量小，致冷的效果快速且明显，更不需建构体积庞大的冷凝系统，成本极低，因而被广泛应用在一般需急速冷却功能的电子装置或其它蓄冷蓄热装置中，分别作为散热及加温装置。现有致冷芯片基板以氧化铝瓷为材料烧结制成，再以可导电金属铜，以预定的线路焊接至基板上形成电路层，完成基板的制备；虽目前仅有陶瓷材料具备良好的绝缘强度及高导热效率的特性，而能应用于为制作致冷芯片基板的唯一选择，但由于陶瓷材料的延展性极低，除了在成本、加工、组装时，易有脆裂及不耐碰撞的缺失而影响成品良率之外，且陶瓷材料因加工制成曲弧状的特性不佳，因此，目前只能局限于平面化热交换场合的应用，而使得应用范围大幅缩小，应有加以改善的必要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种易于设具曲弧面的致冷芯片的结构。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是一种易于设具曲弧面的致冷芯片结构，包括一依产品装置表面的曲弧需求而塑性加工设形的并由良导热材料制成的第一及第二基板，以及设备于两基板间的绝缘层、电路层及多数P型半导体晶粒及N型半导体晶粒；绝缘层设于第一、第二基板的相对向内面上，电路层依电路布设需求布置在两绝缘层上，P型及N型半导体晶粒排置于两电路层之间，以形成电性联接。所述基板为金属材料所制成。所述绝缘层为随基板型态而形成于布置P/N型半导体晶粒的表面上的绝电隔离层。所述至少一基板外表面上附加或一体成型地制具有以提升致冷芯片的散热或加温效果的辅助导热件。所述至少一基板外表面上附加或一体成型地制具有以提升致冷芯片的散热或加温效果的辅助导热件。所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。与现有技术相比，本技术的优点是该导热导电基板除具有电与热的良导特性外，更具有优良的塑性加工变形能力，可依产品型态上的需求，做出合宜的曲弧面，再以绝缘层被覆于两基板之间用以布置使P/N型半导体晶粒的表面，除能改善传统陶瓷基板易脆裂及受限仅能使用在平面产品上的不便外，更能提供加工更为简易，成本更为低廉的可弧面化致冷芯片。附图说明图1是本技术的具曲弧面的致冷芯片的一实施例结构立体示意图。图2是图1的分解状态立体示意图。图3是图1的结构侧视图。图4是本技术的另一实施例的结构侧视图。图5是本技术与产品连接的立体图。图号说明5.....产品10....致冷芯片11....基板113...曲弧面114...导热件12....基板21....绝缘层22....绝缘层 31....电路层32....电路层41....P型半导体晶粒42....N型半导体晶粒50....非平面具体实施方式至于本技术的详细构造、应用原理、作用与功效，则请参照下列依附图所作的说明即可得到完全的了解请参阅图1及图2，可知，本技术的具曲弧面的致冷芯片结构，以编号10表示；包括由可塑性加工特性极佳、且具良导热导电性的材料如金属，所制成的基板11与基板12，且在两基板(11、12)的相对向面上，分别被覆有绝缘层21及22，且分别在该等绝缘层(21、22)上，布置预设的电路层(31、32)，如图3所示。该多数的P型半导体晶粒41及N型半导体晶粒42，则在依据交相间隔电联的型式布设结合于两电路层(31、32)之间所组成。以具有导电导热性及塑性加工变形能力极佳的材料如金属，作为两基板(11、12)。当所欲贴附结合的产品5的表面为一非平面50，如图5所示时，该两基板(11、12)即可依物品需求预制成适合贴附该非平面50的曲度的式样；且分别于两基板(11、12)相对间内层面上，各被覆以绝缘层(21、22)，让该等绝缘层(21、22)随两基板(11、12)内层面的型态形成一电绝缘隔离层，使两基板(11、12)对内无法产生导电作用，而后再以一预定线路态样分别在绝缘层(21、22)的相对内面上布设电路层(31、32)，再使P型及N型半导体晶粒(41、42)以交相间隔排置的型态，布置结合于两电路层(31、32)之间，并形成电性联接于是在两基板(11、12)之间的P/N型半导体及各电路层(31、32)间，即形成一完整回路。当施加电流时，请参阅图3，因两基板(11、12)有高导热特性，使得在与所附贴产品5接触时能产生高效率的热交换，且在绝缘层(21、22)的有效隔绝作用下，使每一P型或N型半导体晶粒(41、42)均能依照预定电流方向产生相对致冷及致热反应，而使两基板(11、12)之间产生冷热温度差，让致冷芯片10能有效且快速地辅助产品进行散热或加温。图4揭示了本技术的另一可行的实施例，将可塑性极佳的基板11的外表面，加装或直接一体成型制备不同型态的辅助导热件114，使基板11表面因辅助导热件114而增加散热面积，以提升散热或加温的效果；如图5所示，由于两基板(11、12)的材料具有高可塑性，因此当产品5为一非平面50的造型时，致冷芯片10可极简易地依产品5上的热交换接触面的需求，制出合宜的曲弧面113，使致冷芯片10可以充分符合该非平面50的状态加以配合应用，此恰可改善传统的制作弧面不易的缺失，更加扩展其可使用范围。权利要求1.一种易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于该结构包括一依产品装置表面的曲弧需求而塑性加工设形的并由良导热材料制成的第一及第二基板，以及设备于两基板间的绝缘层、电路层及多数P型半导体晶粒及N型半导体晶粒；绝缘层设于第一、第二基板的相对向内面上，电路层依电路布设需求布置在两绝缘层上，P型及N型半导体晶粒排置于两电路层之间，以形成电性联接。2.如权利要求1所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述基板为金属材料所制成。3.如权利要求1或2所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述绝缘层为随基板型态而形成于布置P/N型半导体晶粒的表面上的绝电隔离层。4.如权利要求1或2所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述至少一基板外表面上附加或一体成型地制具有以提升致冷芯片的散热或加温效果的辅助导热件。5.如权利要求3所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述至少一基板外表面上附加或一体成型地制具有以提升致冷芯片的散热或加温效果的辅助导热件。6.如权利要求1或2所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。7.如权利要求3所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。8.如权利要求4所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层之间。9.如权利要求5所述的易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于所述N型或P型半导体晶粒以交相间隔对应的型式排列布置于导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种易于设具曲弧面的致冷芯片结构，其特征在于：该结构包括：一依产品装置表面的曲弧需求而塑性加工设形的并由良导热材料制成的第一及第二基板，以及设备于两基板间的绝缘层、电路层及多数Ｐ型半导体晶粒及Ｎ型半导体晶粒；绝缘层设于第一、第二基板的相对向内面上，电路层依电路布设需求布置在两绝缘层上，Ｐ型及Ｎ型半导体晶粒排置于两电路层之间，以形成电性联接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林昌亮，
申请(专利权)人：林昌亮，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]