IC场中具有光学控制模块的晶片制造技术

在具有多个曝光场（２）的晶片（１）中，每个曝光场包括多个具有位于其中的ＩＣ（４）的栅格场（３），提供两组（５，７）割锯路径（６，８）并为每个曝光场分配两个控制模块场（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２），每个控制模块场包含至少一个光学控制模块（ＯＣＭ－Ａ１、ＯＣＭ－Ａ２、ＯＣＭ－Ｂ１、ＯＣＭ－Ｂ２、ＯＣＭ－Ｃ１、ＯＣＭ－Ｃ２、ＯＣＭ－Ｄ１、ＯＣＭ－Ｄ２）并位于所讨论的曝光场之内，并包括多个控制模块场部分（Ａ１１、Ａ１２、…Ａ１Ｎ和Ａ２１、Ａ２２、…Ａ２Ｎ以及Ｂ１１、Ｂ１２、…Ｂ１Ｎ和Ｂ２１、Ｂ２２、…Ｂ２Ｎ以及Ｃ１Ｎ和Ｃ２Ｎ以及Ｄ１Ｎ和Ｄ２Ｎ）并分布在多个栅格（３）中，其中每个控制模块场部分（Ａ１１到Ｄ２Ｎ）位于栅格场中并包含至少一个控制模块部件（１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种晶片，该晶片包括多个曝光场(exposure field)且该晶片在每个曝光场中包括多个栅格场(lattice field)，其中每个栅格场包含IC且每个IC包含多个IC元件，且该晶片包括第一组第一割锯路径(saw path)和第二组第二割锯路径，其中第一组的所有第一割锯路径平行于第一方向延伸并具有第一路径宽度，且其中第二组的所有第二割锯路径平行于与第一方向相交的第二方向延伸并具有第二路径宽度，且其中提供和设计第一割锯路径和第二割锯路径以用于栅格场和其中包含的IC的后续分离，且其中在每个曝光场中提供至少两个控制模块场(control module field)，每个控制模块场平行于第一方向延伸，因此也平行于第一割锯路径，并包含至少一个光学控制模块，其中每个控制模块包含多个控制模块部件。例如从专利说明书US 6,114,072 A获知根据首段中所述设计的这种晶片，其中参考图21描述的设计值得特别的关注。已知的晶片是这样设计的每个曝光场的第一控制模块场与所讨论的曝光场的第一边紧邻，每个曝光场的第二控制模块场与所讨论的曝光场的第二边紧邻。每个控制模块场位于第一割锯路径的一半中。这种设计的结果是，所讨论的两个曝光场的第一控制模块场和第二控制模块场位于在第二方向上彼此紧邻设置的两个曝光场的两行栅格场之间，所以在第二方向上彼此紧邻设置的两个曝光场的两行栅格场之间在第二方向上延伸的距离，由控制模块场的宽度的值的两倍决定。由于这样的事实，即两个这种第一控制模块场位于在第二方向上彼此紧邻设置的两个曝光场的两行栅格场之间，以及这样的事实，即每个控制模块场位于第一割锯路径的一半中，并且由此两个相邻控制模块场决定了整个第一割锯路径的宽度，而且如果要在测试、切割和装备过程中精确完成晶片制作和IC的制作中所需的步进机步幅，晶片的所有平行的割锯路径(包括平行于第一方向延伸的每个曝光场内的栅格场之间的第一割锯路径)必须等宽度，因此每个曝光场的IC之间延伸的第一割锯路径也必须具有控制模块场的两倍宽度。因此，所有割锯路径总体需要的晶片表面部分不可忽略，这造成了不希望有的浪费。本专利技术的一个目的是消除上述事实并制造改进的晶片。为解决所述问题，根据本专利技术的晶片中提供根据本专利技术的特征，所以根据本专利技术的晶片其特征在于以下方式晶片，该晶片包括多个曝光场且该晶片在每个曝光场中包括多个栅格场，其中每个栅格场包含IC且每个IC包含多个IC元件，且该晶片包括第一组第一割锯路径和第二组第二割锯路径，其中第一组的所有第一割锯路径平行于第一方向延伸并具有第一路径宽度，且其中第二组中的所有第二割锯路径平行于与第一方向相交的第二方向延伸并具有第二路径宽度，其中提供和设计第一割锯路径和第二割锯路径以用于栅格场和其中包含的IC的后续分离，且其中在每个曝光场中提供至少两个控制模块场，每个控制模块场平行于第一方向延伸，因此也平行于第一割锯路径并包含至少一个光学控制模块，其中每个控制模块包含多个控制模块部件，且其中位于曝光场内的每个控制模块场包括多个控制模块场部分并分布在多个栅格场中，且其中每个控制模块场部分位于栅格场中并包含至少一个控制模块部件。通过提供根据本专利技术的特征，可以以简单的方法并且没有任何额外成本地实现在第二方向上彼此紧邻的两个曝光场之间没有控制模块场，从而两个曝光场之间的在第二方向上延伸的距离仅由第一割锯路径的宽度决定。因此，相邻栅格场之间提供的割锯路径的宽度同样方便地仅由第一割锯路径的宽度决定，所以根据本专利技术的晶片的表面积可以比根据现有技术的晶片的表面积得到更好的利用。根据现有技术的晶片中，已知在栅格场之间延伸的第一割锯路径的宽度和控制模块场的宽度处于90μm～120μm范围内，而根据本专利技术的晶片中-取决于所用的晶片制造技术和晶片工艺技术-第一割锯路径的宽度和控制模块场的宽度分别是或可以减小到80μm～20μm或～15μm或～10μm之间的值，其中对于80～50μm的宽度使用特别薄的切割刀片，很小的宽度经历预处理，使得所谓的激光锯用于栅格场或IC的后续分离，其中使用所谓的“红色激光”或“蓝色激光”。也可应用专家们已知的称为“隐性划片(stealth dicing)”和“划线&断裂划片(scribe& break dicing)”的技术。除此之外，还具有这样的优点实际上所有的栅格场的整体都可以用于并且用于在每一个中实现至少一个IC，且仅需要所有栅格场中(即每个栅格场的每个IC中)很小的面积用来实现控制模块。在根据本专利技术的晶片中，已经发现如果每个栅格场中的每个控制模块场部分位于相同的位置则是特别有利的，在该位置所讨论的栅格场中的IC不具有任何IC元件。这样，不用于实现包含在栅格场中的IC的所述栅格场中的区域(对于实现整个控制模块又太小)可以有利地用于实现至少一个控制模块部件。根据本专利技术的晶片中，还发现如果每个曝光场的至少两个控制模块场设置成彼此相距平均距离第二方向上延伸则是非常有利的，该平均距离等于沿第二方向延伸的曝光场的边的边长的至少四分之一。这样，每个曝光场的至少两个控制模块场之间的距离足够大以满足制造精确度的最小需要，当使用光学控制模块时，对于可执行的或已经执行的工艺步骤的精确执行，这是有利的。根据本专利技术的晶片中，该平均距离可以略大于在第二方向上延伸的曝光场的边的边长的四分之一(1/4)，或者略小于或略大于该边长的一半(1/2)，或者略小于或略大于该边长的四分之三(3/4)。然而发现如果该平均距离等于在第二方向上延伸的曝光场的边的整个边长减去沿第二方向延伸的栅格场的边的边长则是有利的。这确保了每个曝光场的至少两个控制模块场之间的距离尽可能大，当使用光学控制模块时对于可执行的或已执行的工艺步骤的高度精确执行，这是有利的。如果在每个曝光场中仅提供两个控制模块场且如果这两个控制模块场彼此相距尽可能大的距离，则是有利的。这确保了当使用控制模块或控制模块部件时执行的工艺步骤的高度精确性。可以提及的是可以在每个曝光场中提供三个或四个控制模块场，并且它们的控制模块场部分分布在所讨论的曝光场中的IC中。还可以提及的是每个曝光场可以具有三角形形状，并且控制模块场位于每个角区域附近或仅在两个角区域附近提供控制模块场。最后应当提及的是，已经发现如果提供晶片并用它来实现具有大约0.5～10.0mm×0.5～10.0mm即大约0.25～100.0mm2的IC表面积的IC，使用根据本专利技术的措施是最有利的。如果曝光场尺寸是大约21.0mm×21.0mm，且如果晶片直径例如是8.0英寸(等于大约32 000mm2的IC可使用面积)时在晶片上实现大约320～128 000个IC(芯片)，则是更有利的。然而，根据本专利技术的措施还可以在直径为4.0、5.0、6.0和12.0英寸的晶片中应用。参考下文描述的实施例，本专利技术的这些和其它方面将变得显而易见并将得到解释。下面参考附图中示出的实施例进一步描述本专利技术，然而本专利技术不限于该实施例。在附图中，附图说明图1是根据本专利技术的实施例的晶片的示意性顶视图。图2是根据图1的晶片的一部分，与图1相比该部分被明显放大。图1示出了晶片1。晶片1以已知的方式具有半导体特征。晶片1基于硅。然而，或者晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片（１），该晶片（１）包括多个曝光场（２）且该晶片（１）在每个曝光场（２）中包括多个栅格场（３），其中每个栅格场（３）包含ＩＣ（４）且每个ＩＣ（４）包含多个ＩＣ元件，且该晶片（１）包括第一组（５）第一割锯路径（６）和第二组（７）第二割锯路径（８），其中第一组（５）的所有第一割锯路径（６）平行于第一方向（Ｘ）延伸并具有第一路径宽度（Ｗ１），且其中第二组（７）的所有第二割锯路径（８）平行于与第一方向（Ｘ）相交的第二方向（Ｙ）延伸并具有第二路径宽度（Ｗ２），其中提供和设计第一割锯路径（６）和第二割锯路径（８）以用于栅格场（３）和其中包含的ＩＣ（４）的后续分离，且其中在每个曝光场（２）中提供至少两个控制模块场（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２），每个控制模块场（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２）平行于第一方向（Ｘ）延伸，因此也平行于第一割锯路径（６）并包含至少一个光学控制模块（ＯＣＭ－Ａ１、ＯＣＭ－Ａ２、ＯＣＭ－Ｂ１、ＯＣＭ－Ｂ２、ＯＣＭ－Ｃ１、ＯＣＭ－Ｃ２、ＯＣＭ－Ｄ１、ＯＣＭ－Ｄ２），其中每个控制模块（ＯＣＭ－Ａ１、ＯＣＭ－Ａ２、ＯＣＭ－Ｂ１、ＯＣＭ－Ｂ２、ＯＣＭ－Ｃ１、ＯＣＭ－Ｃ２、ＯＣＭ－Ｄ１、ＯＣＭ－Ｄ２）包含多个控制模块部件（１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８），且其中曝光场（２）内的每个控制模块场（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２）包括多个控制模块场部分（Ａ１１、Ａ１２、…Ａ１Ｎ和Ａ２１、Ａ２２、…Ａ２Ｎ以及Ｂ１１、Ｂ１２、…Ｂ１Ｎ和Ｂ２１、Ｂ２２、…Ｂ２Ｎ以及Ｃ１Ｎ和Ｃ２Ｎ以及Ｄ１Ｎ和Ｄ２Ｎ）并分布在若干栅格场（３）中，且其中每个控制模块场部分（Ａ１１到Ｄ２Ｎ）位于栅格场（３）中并包含至少一个控制模块部件（１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８）。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H朔伊赫尔，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]