抗反射膜和曝光方法技术

在抗蚀剂层和形成在硅衬底表面上的氧化硅层之间提供抗反射膜，用于在具有１９０ｎｍ到１９５ｎｍ波长和０．９３到１．２数值孔径ＮＡ的曝光系统中曝光抗蚀剂层。假设组成抗反射膜的上层和下层的复折射率分别是Ｎ↓［１］（＝ｎ↓［１］－ｋ↓［１］ｉ）和Ｎ↓［２］（＝ｎ↓［２］－ｋ↓［２］ｉ），并且两层的厚度为ｄ↓［１］和ｄ↓［２］，则当选择［ｎ↓［１０］、ｋ↓［１０］、ｄ↓［１０］、ｎ↓［２０］、ｋ↓［２０］、ｄ↓［２０］］的值的预定组合时，ｎ↓［１］、ｋ↓［１］、ｄ↓［１］、ｎ↓［２］、ｋ↓［２］、和ｄ↓［２］满足关系式｛（ｎ↓［１］－ｎ↓［１０］）／（ｎ↓［１ｍ］－ｎ↓［１０］）｝↑［２］＋｛（ｋ↓［１］－ｋ↓［１０］）／（ｋ↓［１ｍ］－ｋ↓［１０］）｝↑［２］＋｛（ｄ↓［１］－ｄ↓［１０］）／（ｄ↓［１ｍ］－ｄ↓［１０］）｝↑［２］＋｛（ｎ↓［２］－ｎ↓［２０］）／（ｎ↓［２ｍ］－ｎ↓［２０］）｝↑［２］＋｛（ｋ↓［２］－ｋ↓［２０］）／（ｋ↓［２ｍ］－ｋ↓［２０］）｝↑［２］＋｛（ｄ↓［２］－ｄ↓［２０］）／（ｄ↓［２ｍ］－ｄ↓［２０］）｝↑［２］≤１。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在半导体器件制造工艺中使用的抗反射膜，将该抗反射膜提供在抗蚀剂层和形成在硅半导体衬底表面上且具有下述厚度Ｔ（单位：ｎｍ）的氧化硅层之间，用于在具有１９０ｎｍ到１９５ｎｍ波长和０．９３≤ＮＡ≤１．０数值孔径ＮＡ的曝光系统中曝光该抗蚀剂层，该抗反射膜具有双层结构，包括：具有复折射率Ｎ↓［１］的上层；和具有复折射率Ｎ↓［２］的下层；所述复折射率Ｎ↓［１］和Ｎ↓［２］分别通过等式Ｎ↓［１］＝ｎ↓［１］－ｋ↓［１］ｉ和Ｎ↓［２］＝ｎ↓［２］－ｋ↓［２］ｉ表示；　 　其中假定所述上层的厚度是ｄ↓［１］（单位：ｎｍ），所述下层的厚度是ｄ↓［２］（单位：ｎｍ），当依据...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：松泽伸行，渡辺阳子，布恩塔里卡桑纳卡特，小泽谦，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]