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在抗蚀剂层和形成在硅衬底表面上的氧化硅层之间提供抗反射膜，用于在具有１９０ｎｍ到１９５ｎｍ波长和０．９３到１．２数值孔径ＮＡ的曝光系统中曝光抗蚀剂层。假设组成抗反射膜的上层和下层的复折射率分别是Ｎ↓［１］（＝ｎ↓［１］－ｋ↓［１］ｉ）和Ｎ↓...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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