一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备，涉及硅晶体制造设备技术领域，包括壳体，壳体顶部设置有进料组件，壳体内部设置有溶解腔，壳体一侧固定连接有电动伸缩缸，溶解腔中设置有连接板，电动伸缩缸的端部贯穿壳体并与连接板固定连接，连接板上固定连接有搅拌组件，壳体底部固定开设有出料口，出料口上设置有过滤组件，过滤组件下方设置有排料箱，排料箱底部固定连接有排料阀，溶解腔与出料口连通，出料口与排料箱连通，溶解腔内壁固定连接有支撑板，支撑板中固定连接有转轴，转轴上转动连接有转筒，转筒与转轴之间设置有卷簧，本发明专利技术溶解效率高、下料流畅，出料稳定。稳定。稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备


[0001]本专利技术涉及多晶硅溶解设备
，尤其是涉及一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备。
[0002]
技术介绍

[0003]多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，而在生产半导体晶圆的过程中需要将多晶硅首先溶解。
[0004]中国专利公开号为CN101435105专利技术专利公开了一种低含氧量硅晶体的制备方法，包括将硅熔液置入石英坩埚内，通过定向凝固法或丘克劳斯基法，制备硅晶体，在硅晶体的制备过程中，将还原性气体或由还原性气体与惰性气体组成的混合气体作为保护气体通过硅熔液表面，其目的在于降低硅晶体中的氧浓度。该制备方法操作简单，易于工业化生产。
[0005]但是，这种上述专利技术以及
技术介绍
中心还存在很大的不足之处：第一：多晶体物料送入到溶解装置中的时候，多晶体在溶解装置中的溶解速率缓慢，工业成产效率慢；第二：多晶体物料送入到溶解装置中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备，包括壳体（1），其特征在于：所述壳体（1）顶部设置有进料组件（2），所述壳体（1）内部设置有溶解腔（101），所述壳体（1）一侧固定连接有电动伸缩缸（3），所述溶解腔（101）中设置有连接板（301），所述电动伸缩缸（3）的端部贯穿所述壳体（1）并与连接板（301）固定连接，所述连接板（301）上固定连接有搅拌组件（4），所述壳体（1）底部固定开设有出料口（102），所述出料口（102）上设置有过滤组件（5），所述过滤组件（5）下方设置有排料箱（6），所述排料箱（6）底部固定连接有排料阀（601），所述溶解腔（101）与所述出料口（102）连通，所述出料口（102）与所述排料箱（6）连通，所述溶解腔（101）内壁固定连接有支撑板（7），所述支撑板（7）中固定连接有转轴（701），所述转轴（701）上转动连接有转筒（702），所述转筒（702）与所述转轴（701）之间设置有卷簧，所述转筒（702）上连接有拉绳（703），所述拉绳（703）远离转筒（702）的一端与所述搅拌组件（4）固定连接。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备，其特征在于：所述搅拌组件（4）包括多个环套（401），多个所述环套（401）呈矩形阵列设置在所述连接板（301）上，每个所述环套（401）上均转动连接有搅拌杆（402），所述搅拌杆（402）上设置有多个搅拌叶（403），所述拉绳（703）与所述搅拌杆（402）外周壁固定连接。3.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备，其特征在于：所述搅拌叶（403）一侧面为向下凹陷的弧形，且其另一侧面为向上凹陷的弧形。4.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶圆制备的高纯度的多晶硅溶解设备，其特征在于：所述过滤组件（5）包括过滤网（501）、第一弹簧（502），所述出料口（102）上固定连接有第一挡环（503），所述第一挡环（503）顶部与所述第一弹簧（502）固定连接，所述第一弹簧（502）顶部与所述过滤网（501）固定连接，所述搅拌杆（402）底部固定开设有凹槽（404），所述凹槽（404）中固定连接有第二弹簧（405），所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子运，吴海亮，胡祥祥，谢曙阳，
申请(专利权)人：江苏纳沛斯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：