定位装置和晶体生长炉组件制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种定位装置和晶体生长炉组件，定位装置包括支架、第一定位件和第二定位件，第一定位件设在支架上，且适于与晶体生长炉的炉体可分离定位配合，以使支架与炉体对中，第二定位件设在支架上，且适于与晶体生长炉的导流筒可分离定位配合，以使支架与导流筒对中。根据本实用新型专利技术的定位装置，可以实现导流筒和炉体的对中，提升导流筒的安装精度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
定位装置和晶体生长炉组件


[0001]本技术涉及晶体生长设备
，尤其是涉及一种定位装置和晶体生长炉组件。

技术介绍

[0002]在晶体生长炉的炉体内，导流筒是不可缺少的重要部件，通常导流筒用于惰性工艺气体的气流导向，以达到工艺要求，尤其是对于单晶生长炉，导流筒的安装位置很大程度上影响最终产出晶体的质量，则导流筒的安装精度要求较高。然而，相关技术中，导流筒无法实现较为精确的定位装配。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种定位装置，所述定位装置可以实现导流筒和炉体的对中，提升导流筒的安装精度。
[0004]本技术还提出一种具有上述定位装置的晶体生长炉组件。
[0005]根据本技术第一方面实施例的定位装置，包括：支架，所述支架具有中心轴线；第一定位件，所述第一定位件设在所述支架上，且适于与所述晶体生长炉的炉体可分离定位配合，以使所述支架与所述炉体对中；第二定位件，所述第二定位件设在所述支架上，且适于与所述晶体生长炉的导流筒可分离定位配合，以使所述支架与所述导流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种定位装置(100)，其特征在于，包括：支架(1)，所述支架(1)具有中心轴线(1a)；第一定位件(2)，所述第一定位件(2)设在所述支架(1)上，且适于与所述晶体生长炉(200)的炉体(201)可分离定位配合，以使所述支架(1)与所述炉体(201)对中；第二定位件(3)，所述第二定位件(3)设在所述支架(1)上，且适于与所述晶体生长炉(200)的导流筒(202)可分离定位配合，以使所述支架(1)与所述导流筒(202)对中。2.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，所述炉体(201)上具有定位配合件(2011)，所述第一定位件(2)适于与所述定位配合件(2011)定位配合，所述第一定位件(2)为一个，且适于与所述定位配合件(2011)在所述支架(1)的径向和所述支架(1)的周向上定位配合；或者，所述第一定位件(2)为多个，多个所述第一定位件(2)沿所述支架(1)的周向间隔设置，至少一个所述第一定位件(2)适于与所述定位配合件(2011)在所述支架(1)的径向上定位配合，至少一个所述第一定位件(2)适于与所述定位配合件(2011)在所述支架(1)的周向上定位配合。3.根据权利要求2所述的定位装置(100)，其特征在于，所述定位配合件(2011)为定位销，所述定位销的横截面为圆形，所述第一定位件(2)为多个，每个所述第一定位件(2)上形成有与所述定位销定位配合的定位孔(20)，所述定位孔(20)的中心轴线与所述支架(1)的中心轴线(1a)平行，多个所述第一定位件(2)中的其中一个上的所述定位孔(20)为圆形孔，其余所述定位孔(20)为沿所述支架(1)的径向延伸的长圆形孔。4.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，所述第二定位件(3)为多个且沿所述支架(1)的周向间隔设置，所述第二定位件(3)适于与所述导流筒(202)的外周面或内周面止抵配合。5.根据权利要求1所述的定位装置(100)，其特征在于，还包括：第一微调件，所述第一微调件沿所述支架(1)的径向可移动地设在所述第二定位件(3)上，且适于与所述导流筒(202)可分离地配合。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的定位装置(100)，其特征在于，还包括：第三定位件(4)，所述第三定位件(4)设在所述支架(1)上，且适于与所述导流筒(202)上的凹槽(202a)在所述支架(1)的周向...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗江涛，
申请(专利权)人：徐州晶睿半导体装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：