一种重布线层结构及其构造方法技术

本发明专利技术涉及芯片封装技术领域，提出一种重布线层结构及其构造方法。该结构包括第一聚酰亚胺层和第一重布线层，其中所述第一聚酰亚胺层具有第一过孔；一个或者多个第二聚酰亚胺层和第二重布线层，其中所述第二聚酰亚胺层具有第二过孔；以及第三聚酰亚胺层，其中所述第三聚酰亚胺层具有第三过孔；其中，所述第一过孔和第二过孔包括多个第一孔径的小孔径过孔，所述第三过孔包括第二孔径的大孔径过孔，所述第一孔径小于所述第二孔径。一孔径小于所述第二孔径。一孔径小于所述第二孔径。

【技术实现步骤摘要】
一种重布线层结构及其构造方法


[0001]本专利技术总的来说涉及芯片封装
具体而言，本专利技术涉及一种重布线层结构及其构造方法。

技术介绍

[0002]重布线层技术(Re
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distribution Layer RDL)对许多先进封装技术的发展都提供了非常大的帮助，其广泛应用在例如扇入式(fan
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in)和扇出式(fan
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out)晶圆级封装(Wafer Level Package WLP)以及硅通孔技术(Through Silicon Via TSV)上。另外在一些高端的2.5D多芯片集成系统封装，例如3D集成电路(integrated circuit IC)封装上，也经常能见到重布线层技术的身影。
[0003]但随着电子硬件的类型、性能以及规模不断演变，终端电子产品正在朝多功能化、智能化以及小型化方向发展，我们已经迎来了高密度系统级封装时代。而随着封装密度的显著提升，RDL的层数也在不断上升。然而传统的重布线层结构在RDL层数多时表现得并不理想，尤其是当重布线层结构出现叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：第一介质层和第一重布线层，其中所述第一介质层具有第一过孔；一个或者多个第二介质层和第二重布线层，其中所述第二介质层具有第二过孔；以及第三介质层，其中所述第三介质层具有第三过孔；其中，所述第一过孔和第二过孔包括多个小孔径过孔，所述第三过孔包括大孔径过孔，所述小孔径过孔的孔径小于所述大孔径过孔的孔径。2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，还包括：衬底，其上布置钝化层以及焊盘；钝化层，其布置于所述硅片与所述第一介质层之间；以及焊盘，其布置于所述第一过孔处。3.根据权利要求2所述的重布线层结构，其特征在于，还包括柱凸块，所述柱凸块布置于所述第三过孔处。4.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述小孔径过孔的孔径在5
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20μm的范围内，所述大孔径过孔的孔径在大于等于30μm的范围内。5.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一过孔与所述第二过孔在所述第一重布线层的第一孔盘上的开口交错布置。6.一种构造权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：樊嘉祺，孙鹏，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：