【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置以及电子装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种电子装置以及电子装置的制造方法。
技术介绍
[0002]一直以来，在LED灯等电子装置中，作为在确保发光元件和封装导通的同时接合的方法，使用了由含大量环氧树脂和硅酮树脂等有机树脂的银膏(以下，称作银膏)接合的方法(例如，参照专利文献1)。
[0003]另外，在想要以相同的目的获得可靠性更高的接合层的情况下，有时也使用导热系数、接合强度优异的金锡膏(例如，参照专利文献2)。
[0004]相对于此，近年来，提出了使用烧结性银粒子的银烧结膏(例如，参照专利文献3)。与金锡膏相比较，银烧结膏更便宜且导热系数、接合可靠性优异，期待其成为金锡膏的替代品。
[0005]另一方面，一直以来，在车载LED领域中，LED的耐硫化特性是必须的要求事项。这是因为LED暴露于废气(SO2)、燃烧气体(SO2、H2S)中，也开始通过JIS C 60068
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42(1993)、JIS C 60068
‑2‑
43(1993)、JIS
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置，其特征在于，其具有：基板；接合层，该接合层设置于所述基板上，并且包含超过0质量％且60质量％以下的晶体粒径为50nm以下的铜；电子部件，该电子部件设置于所述接合层上；以及被膜，该被膜覆盖所述接合层的侧面，并且包含从氧化铜(I)和氧化铜(II)中选择的至少一种化合物，该氧化铜(I)是Cu2O，该氧化铜(II)是CuO。2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述接合层具有比所述电子部件的侧端更向侧面突出的倒角，所述被膜覆盖所述倒角。3.如权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，在将所述被膜的厚度记作A nm、将所述被膜中包含的氧化铜中的氧化铜(I)存在的比例记作B质量％时，具有下述式(1)的关系，该氧化铜(I)是Cu2O，A≥10，B≥20
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(1)。4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，在将所述被膜的厚度记作A nm、将所述被膜中包含的氧化铜中的氧化铜(I)存在的比例记作B质量％时，...
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