【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求分别于2020年7月31日和2021年1月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0096176和No.10
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2021
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0006217的优先权,通过引用将其全部内容并入本文。
[0003]本公开涉及半导体封装件,尤其涉及包括再分布基板并具有增加的集成密度和改善的可靠性的半导体封装件。
技术介绍
[0004]半导体封装件被配置为容易地将半导体芯片用作电子产品的一部分。通常,半导体封装件包括印刷电路板(PCB)和半导体芯片,半导体芯片安装在PCB上,并且通过接合线或凸块电连接到PCB。随着电子工业的发展,正在进行许多研究以提高半导体封装件的可靠性并减小半导体封装件的尺寸。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有增加的集成密度和提高的可靠性的半导体封装件。
[0006]根据本专利技术构思的示例实施 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件,包括:再分布基板,所述再分布基板包括绝缘层和位于所述绝缘层中的再分布图案,其中,每个所述再分布图案包括通路部分、与所述通路部分垂直地交叠的焊盘部分和从所述焊盘部分延伸的线部分,所述通路部分、所述焊盘部分和所述线部分彼此连接以形成单个物体,所述焊盘部分的底表面的水平高度低于所述线部分的底表面的水平高度,并且所述线部分的宽度在所述线部分的顶表面与所述线部分的底表面之间的水平高度处具有最大值。2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述焊盘部分的底表面与所述线部分的底表面之间的水平高度之差为0.2μm至0.5μm。3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述焊盘部分的直径在所述焊盘部分的顶表面与所述焊盘部分的底表面之间的水平高度处具有最大值。4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述线部分的宽度的最大值与所述线部分的顶表面的宽度之间的差大于0nm并且小于300nm。5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,每个所述再分布图案包括:金属图案,所述金属图案位于所述绝缘层中;以及晶种/阻挡图案,所述晶种/阻挡图案位于所述金属图案的底表面与所述绝缘层之间以及所述金属图案的侧表面与所述绝缘层之间。6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述金属图案的上部在所述晶种/阻挡图案附近具有凹槽部分。7.根据权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述凹槽部分具有大于0nm并且小于300nm的深度。8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述焊盘部分的直径是所述线部分的宽度的1.5倍。9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,每个所述再分布图案还包括连接到所述线部分的端部的第二焊盘部分,使得所述第二焊盘部分和所述线部分形成单个物体,并且所述第二焊盘部分的底表面的水平高度低于所述线部分的底表面的水平高度。10.一种半导体封装件,包括:再分布基板,所述再分布基板包括绝缘层和位于所述绝缘层中的再分布图案,其中,每个所述再分布图案包括彼此连接以形成单个物体的通路部分、焊盘部分和线部分,所述焊盘部分与所述通路部分垂直地交叠,所述线部分从所述焊盘部分延伸,所述焊盘部分的底表面的水平高度低于所述线部分的底表面的水平高度,所述通路部分的侧表面具有线性形状,并且所述焊盘部分的侧表面具有弧形形状。11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述通路部分的侧表面包括:下侧壁部分,所述下侧壁部分具有第一斜率;以及
上侧壁部分,所述上侧壁部分具有第二斜率,其中,所述上侧壁部分连接到所述焊盘部分的底表面,并且所述第一斜率的绝对值大于所述第二斜率的绝对值。12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述第一斜率的角度小于...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔朱逸,姜圭浩,姜芸炳,金炳赞,朴峻泳,李种昊,黄贤洙,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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