一种高宽容度液晶选通电荷耦合器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法，电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液晶层、相位板及其两侧的低通滤镜、硅衬底层和下面设置的ＳｉＯ↓［２］氧化层与多个金属铝栅电极，微型信号线与对应的液晶单元单向连接，液晶单元、Ｐ型硅单元和金属铝栅电极一一对应，液晶单元的上下表面分别近贴一片偏振方向相互垂直的线偏振薄膜。在硅衬底下表面生长ＳｉＯ↓［２］氧化层并形成金属铝栅电极，硅衬底的上表面依次近贴各功能层，制得高宽容度液晶选通电荷耦合器件，本发明专利技术用于民用成像系统，大幅度提高该成像系统的宽容度，实现高质量成像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电成像
，涉及一种用于光电成像系统的器件，具 体涉及一种光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件，本专利技术还涉及该 高宽容度液晶选通电荷耦合器件的制备方法。
技术介绍
胶片相机与数字光电成像系统的感光材料(器件)都涉及到宽容度。成 像系统的宽容度是指感光材料按比例正确记录景物亮度范围的能力，通常也 称为曝光宽容度。数字光电成像系统包括数字摄像机、数字照相机及其它数字光电成像设备。广泛应用于科研、工控和民用领域。随着CCD(Charge Coupled Device)、 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor )等记录图像的光电成像芯片加工工艺和模拟、数字信号处理技术的发展，目前，部分高端数字单镜 头反光照相机(如佳能EOS-lDsMarkIII)的宽容度动态范围的曝光值已达 到8 EV，与传统胶片的宽容度基本相当，但该宽容度固定不变，不能实现 无级调节，且无法满足特殊环境下对宽容度动态范围的要求。目前，通过改变成像芯片上象素点的排列方式和增大单个象素点的尺寸 等方法提高成像系统宽容度动态范围。富士、佳能、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件，包括由上而下依次固接的表层、中间层和底层，表层包括从上往下依次设置的二向色滤光片（１）和红外吸收滤镜（２），中间层包括相互垂直设置的多根控制线（１４）和多根集成微型信号线（１５）构成的网状结构、低通滤镜Ａ（４）、相位板（５）和低通滤镜Ｂ（６），底层包括并排设置的多个Ｐ型硅单元（７）与绝缘沟道（１１）构成的衬底层以及该衬底层下面依次设置的ＳｉＯ↓［２］氧化层（９）和多个金属铝栅电极（１０），其特征在于，所述的红外吸收滤镜（２）与低通滤镜Ａ（４）之间耦合有多个ＨＴＰＳ液晶单元（３）构成的液晶层，相邻的ＨＴＰＳ液晶单元（３）通过隔膜（８）隔断，每个ＨＴＰ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐远河，赵高翔，刘锴，刘汉臣，郜海阳，张瑞霞，李卿，梁元，杨旭三，叶娜，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]